淀积条件对GDa—SiNx薄膜电学特性的影响

本文讨论了用辉光放电法制备氮化硅薄膜时衬底温度、射频功率和气体流量比对薄膜的电导率、介电常数和击穿强度的影响。通过优化生长条件，制备了优质非晶氮化硅薄膜，其介电常数为７．５、击穿强度为５．５ＭＶ／ｃｍ、电导率为１０－１３（Ωｃｍ）－１。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

镉蒸气等离子体的复合发光特性

研究了镉蒸气等离子体的复合发光特性,各种不同的缓冲气体气压对镉蒸气等离子体的影响。     

对全身CT不能扫描的故障进行分析和维修

GE8800型全身CT是美国通用电气公司（GeneralElectricCorp）开发生产的第三代旋转＋旋转型X线全身CT。X－CT是机电结合的现代科技产物，但由于CT设备结构复杂其出现的故障现象也是多种多样的。1电路介绍电路如图1所示。在正常工作情况下利用二极管的正向导通，负向截止的特性，使＋12通过不同接点置给电阻R200、R192、R167、R139，以不同的高低电平，经三极管Q191，Q184，Q168，Q133的缓冲倒相再经非门7414倒相后形成一组四位二进制编码，最后由DM8830ON把一组四位二进制编码分成二组四位的进制编码。（图中的8’S，4’S，2’S…