用微机控制的高分辨率三晶体X射线衍射仪究研GaInP外延层的超结构

本文介绍自制具有极高分辨率的微机控制的三晶体X射线衍射仪，利用这台仪器测量了用MOCVD方法生长的Ga0.52In0.48P外延层的超结构，我们发现，在Ga0.52In0.48P外延薄膜内由In平面和Ga平面交替组成的（111）平面中，存在着交替的In丰与Ga丰平面，这种In丰与Ga丰的附加浓度可达4-6%。     

氙离子注入氯化钠晶体零声子跃迁和化学位移

经 36 ke V Xe+注入 ,可在 Na Cl晶体表面产生 F、R1 、R2 和 M等色心。在 10 K温度下的吸收光谱中观测到位于 6 32 .1nm波长处的 R2 色心的零声子线 ,并在不同温度下对零声子线的光谱特性和热稳定性进行了研究。利用 NMR方法 ,首次观测到经 Xe+ ,注入 Na Cl晶体中 2 3 Na的化学位移。经 Xe+ 注入的 Na Cl晶体中 2 3 Na相对于未注入 Na Cl晶体中 2 3 Na的化学位移为 17× 10 - 6 ,预示 Xe+注入的 Na Cl晶体中固态 Na Xe分子的形成。     

Si衬底上生长的GaAs薄膜中0．96eV发光带的特性研究

利用变温和变激发强度的近红外光致发光，研究了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中０．９６ｅＶ发光带的发光特性，讨论了其来源．根据０．９６ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随温度和激发强度的变化关系，获得了其热激活能，Ｈｕａｎｙ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移．实验结果表明０．９６ｅＶ发光带可能来源于砷空位施主－镓空位受主对之间的跃迁．     

强脉冲离子束辐照GH202镍基高温合金表面改性

为改善GH202镍基高温合金的表面性能,使用成分为C~(n+)和H~+、加速电压为250kV的强脉冲离子束(IPIBs)对其进行表面辐照处理。采用光学显微镜、X射线衍射仪、扫描电子显微镜和显微硬度计等分别对不同参数辐照后的试样的表面形貌及性能进行测试。结果表明:辐照后GH202合金表面产生了熔坑,熔坑的尺寸随能量密度的增加而增加,最大可至70μm。熔坑的产生源于表层低熔点组分的喷发。表层的γ'相消失,辐照之后的试样表层产生了M_(23)C_6结构的碳化物并在辐照过程中受到压应力作用。辐照后试样表层近百微米深度内显微硬度均获得不同程度的提高。在高温氧化时,辐照后的样品表面更易于形成Cr_2O_3和Al_2O_3连续膜层氧化物,阻碍O元素向基体扩散,使得抗高温氧化性能得到改善。     

GaAs衬底上生长的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层中的近红外光致发光对激发强度的依赖关系

本文首次报道了利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的有序的Ga_(0.5)In_(0.5)P外延层的近红外光致发光的研究,并观测到深能级产生的三个发光峰,其峰值能量分别为 1.17,0.99和 0.85eV.根据它们的近红外发光光谱随着激发强度的变化关系,我们证实这些发光都是由于施主-受主对复合产生的发光.     

金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系

本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．     

金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依…

本文测量了用金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬度上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源。     

金属有机物化学气相沉积GaAs／Si外延层中1.13eV发光带特性研究

用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的１．１３ｅＶ发光带的发光特性，表明此发光带为施主－受主对复合发光．根据１．１３ｅＶ发光带的峰值能量和发光强度随温度和激发强度的变化关系，确定施主和受主的束缚能分别为５和２９５ｍｅＶ，并证实ＧａＡｓ／Ｓｉ外延层中的１．１３ｅＶ发光为硅施主－镓空位受主对的复合发光．