InGaSn/Si接触电势差的测量

<正> 采用InGaSn 合金探针可以方便地对MOS 电容进行测量.但是要精确地知道MOS电容氧化层中总的界面电荷,必须预先知道电极金属与硅之间的接触电势差.为此我们对 InGaSn/Si接触电势差进行了测量.     

Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究

在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面．在Si（100）晶片上用离子束溅射淀积Co／Ti双层膜，经退火处理完成三元固相反应，生成TiN／CoSi2／Si膜，然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜．AES，XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si（100）衬底的外延生长膜．STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整，主要由交替出现的平台和台阶结构组成．平台的平均宽度为9nm，台阶高度为2个原子层厚度，分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离（100）面引起的．平台表面呈平行台阶方向的相距约1．1nm的条状结构．     

热氧化二氧化硅层中氟离子的注入及其分布

本文采用电晕放电技术对硅片的热氧化层注入了氟离子.并通过逐次剥层用椭偏测厚仪测量了剥层后的氧化层厚度,用高频c-v法测量了剥层后的平带电压,从而求得平带电压与氧化层厚度间的关系.并由此求得氧化层中电荷的分布情况.测量结果表明:氟离子注入后,在SiO_2/Si界面处的正电荷面密度比注入前有所增加,在氧化层体内存在有均匀分布的负电荷密度,在靠近SiO_2外表面约100(A|°)左右的区域内,负电荷密度由内向外逐渐增加,在外表面处具有最大的负电荷密度.最后,把我们的结果与Williams的结果进行了比较,并进行了讨论.     

用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用

用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但在大气中存放15分钟后，硅片表面开始逐渐呈现出清晰的Si（100）2×1结构，随后再逐渐转变为1×1结构．这可能是混合气体与Si表面作用，能更有效地清除表面残余的沾污物和氧化层，暴露清洁的硅2×1再构表面，进一步由于吸附H，使表面悬挂键被氢原子占据，转变为1×1结构．有序结构可维持3小时，因此用所述混合气体处理硅