一种基于多值RRAM的快速逻辑电路

针对移动物联网设备,提出一种基于多值RRAM的快速逻辑电路,以实现非易失性存储与快速逻辑运算。利用RRAM多值存储特性,采用Crossbar结构,实现了简单快速的译码器与高存储密度查找表,使逻辑电路具有较快的运算速度和较小的面积。基于该结构实现了4位、8位和16位的乘法器,其外围电路采用SMIC 65 nm CMOS工艺实现,而其核心多值RRAM则采用Verilog-A 模型模拟。仿真结果表明,与传统CMOS逻辑电路相比,基于多值RRAM的16位乘法器的速度提高了35.7%,面积减少了14%。