低压铝箔交流腐蚀研究

在３０Ｈｚ频率下，通过铝箔在ＨＣｌ＋Ｈ２ＳＯ４＋ＨＮＯ３＋Ｈ３ＰＯ４体系中的交流腐蚀，研究腐蚀液组成中腐蚀主体及缓蚀剂对铝箔腐蚀的作用，探讨腐蚀过程中电源频率、腐蚀液温度、电流密度及腐蚀时间对铝箔腐蚀的影响。腐蚀液组成的配比恰当，有利于比容的提高。在特定的频率下采用合适的腐蚀液温度、适宜的电流密度和腐蚀时间可以提高铝箔的静电容量。     

低压宽温高频铝电解电容器工作电解液

在传统的己二酸铵/乙二醇加水体系中,通过增加水的含量实现高电导率,同时在电解液中添加多种有机高分子物质形成复合添加剂,改善工作电解液的高温稳定性,使电容器上限工作温度扩展到105℃,形成高频宽温低阻抗工作电解液。     

采用高速剪切反应器生产超细氧化铋工艺探讨

利用硝酸铋溶液和碳酸铵溶液为原料，采用高速剪切反应器，500℃煅烧后可以生产出高纯、超细的氧化铋粉末。该方法制备出的氧化铋平均粒度0．71μm且粒度范围分布窄，颗粒形貌为类球形，晶相为纯α相，指标达到电子压敏陶瓷要求。由于粒度细小，可以在电子压敏陶瓷球磨工艺减少球磨工艺，并具有更好的分散效果。本文对超细的氧化铋粉末形成机理也进行了探讨。     

电子封装材料的研究进展

在当今信息时代，随着便携式计算机、移动通信以及军事电子技术的迅速发展，对集成电路（IC）的需求量急剧攀升，微电子封装技术也迎来了它的高速发展期。微电子封装技术经历了双列直插式封装（DIP）、周边有引线的表面安装式封装和面阵式封装三个发展阶段。在新世纪中，以IC产业为代表的微电子工业的发展，为电子封装行业创造了无限的发展机遇。     

纳米NiO的制备及其赝电容特性研究

运用沉淀转化法制备Ni(OH)2超微粉末,并通过热处理得到纳米NiO.利用TEM,TG,XRD,循环伏安和恒流充放电测试对样品进行了分析和表征.结果表明,实验制备的NiO粒径为10nm左右, 在-0.05～0.35V(vs SCE)的电位范围内表现出典型的法拉第赝电容行为, 在电流密度为2mA*cm-2时, 其比容达到243F·g-1.     

碳纳米管的电学特性及应用

碳纳米管独特而优异的电学性能,显示了它在电子学领域广阔的应用前景.在讨论碳纳米管结构及电学性质的基础上,主要介绍了碳纳米管在微电子元件、超级电容器、平面显示器和锂离子电池等方面的研究进展及应用前景.     

超级电容器碳纳米管及其复合电极材料最新研究进展

超级电容器作为一种新型储能元件,具有比传统电容器高得多的能量密度和比电池大得多的功率密度以及超长的使用寿命等特点.碳纳米管由于具有良好的导电性和高比表面积而成为超级电容器的理想电极材料.综述了用作超级电容器电极材料的碳纳米管及其复合材料的结构、特性、电化学性能和基于该材料的超级电容器研究的新成果.     

流延工艺对生瓷带结构和微波特性的影响

基于低温共烧陶瓷技术流延工艺的特点,通过研究粘合剂、分散剂和增塑剂等在浆料体系中的力学效应对生瓷带中陶瓷成分颗粒的几何排列及所产生的孔隙排斥等力学特性的影响,以及优化热处理温度对生瓷带的质量损失、延展率和拉伸强度的关系,深入分析了流延过程的关键技术及工艺参数对生瓷带结构和微波特性的影响。研究后提出:通过调整流延浆化浆料中粘合剂、分散剂和增塑剂配比,采用梯度缓变的热处理烘干温度曲线和消除生瓷带累积应力等方法,可明显改善流延工艺过程,最终获得质量稳定、可靠性高和功能满足于微波应用要求的生瓷带。     

HIC、MCM和SIP

电子信息技术的发展推动与需求牵引，强烈地推进了电子整机与系统不断微小型化。各种先进封装与组装技术”武装”了各类电子整机与系统，二者互为需求与牵引、相互促进。其中HIC、MCM、SIP这三种技术起到了举足轻重的作用。本文主要对这三种技术特点及其相互关系进行了分析，指出了HIC未来的发展方向。     

氧传感器的原理与进展

本文对氧传感器的重要性及氧传感器的种类，工作原理，特点做了详细的阐述，并对氧传感器的发展动向作了进一步论述。