一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计

提出一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计方案。采用共面转换模式并在液晶和反射板之间加入四分之一光延迟膜。通过使用参数空间表示法优化选择器件参数,获得了高反射率、低色散和宽视角的常白、常黑反射式显示模式。     

多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计

应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制,并给出轻掺杂结构参数(如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等)的优化设计,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据.     

CMOS图像传感器在数码相机中的应用

对CMOS与CCD图像传感器的特点及其在数码相机中的应用进行了讨论，着重研究了CMOS图像传感器芯片的应用及其发展前景，针对CMOS图像传感器的特点设计了一个完整的数码相机，并利用PC机中的图像处理软件处理和显示所拍摄的图片。     

低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究

研究了溅射Ta膜的电学和结构特性与N2气分压的关系.并确定了电学性能稳定低阻α-Ta薄膜(电阻率34μΩ·cm)的制备工艺条件.     

液晶显示器产品与市场的现状和展望

信息技术（ＩＴ）与信息产业的迅速兴起,为信息显示技术提供了广阔的市场和良好的机遇。各种平板显示技术如等离子体显示（＊＊Ｐ）,发光二：极管（１。＊Ｄ）,电致发光〔＊Ｌ）、尤其是有机电致发光（ＯＥＬ）,场发射（ＦＥＤ）和液晶显示（ＬＣＤ）等已成为人们竞相研究开发的热点。其中,液晶显示器脱颖而出,以其低功耗、易集成和轻巧便携的特点率先进入市场并不断拓宽其应用领域。薄膜晶体管寻址的液晶显示器（ＴＦＴＡＭＬＣＤ）又以其大容量、高清晰度和全彩色的视频显示成为液晶乃至整个平板显示技术领域的主导技术,相关的高新…     

TFT工艺中的反应性离子刻蚀

对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究,给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果,并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。     

TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究

建立了ａ－ＳｉＴＦＴＡＭＬＣＤ的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及ＴＦＴ导电沟道电容构成的ＲＣ（ＲｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙＣａｐａｃｉｔａｎｃｅ）常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考。     

硅基TFT有源矩阵液晶显示技术

介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ）,特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析     

一种用于液晶分子取向排列的紫外光聚合物PV4研究

研究了紫外光聚合物材料ＰＶ４的化学性质;采用偏光显微照相技术,研究厂这种材料膜对液晶ＬＣ－６７１０Ａ的取向能力;用原子力显微镜（ＡＦＭ）,研究了光聚合前后聚合物取向膜微观形貌的变化;测最了这种材料引起的液晶预倾角、单面光控取向层扭曲向列液晶显示器件（ＴＮ－ＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性;分析了液晶分子取向排列的机理。