燃气彩偏窑的温度控制与安全保护

燃气彩偏窑是以气体燃料作为能源,通过对燃烧过程的自动控制,达到温度精确控制,满足彩偏磁芯烧结工艺要求。同时,对燃烧过程中的熄火、燃烧气体和助燃空气压力超过正常范围、排烟不畅等进行有效控制,保证安全生产。     

硅太阳电池前表面发射极钝化研究

介绍了表面钝化技术在晶体硅太阳电池中的发展和应用,详细阐述了采用热氧化和氢氟酸减薄的方法来制备SiO2钝化膜。实验分别采用800℃、850℃、900℃和950℃对发射极进行热氧化,通过浓度2．5％的HF将钝化膜减薄,制各成电池片。通过测试氧化前后电性能参数、扩散方阻、接触电势和量子效率的变化,确认了最佳氧化条件。实验表明：在850℃、15min的条件下,SiO2钝化膜能很好地降低硅片的表面复合,提升短波响应,使开路电压和短路电流均得到提升,平均转换效率提高0．25％。     

企业局域网安全浅谈

随着信息网络化的发展,企业局域网对提高企业的贸易、科研、管理所起的作用越来越大。因此合理安全的利用好企业局域网对企业的发展有重要意义。     

设备管理系统数据恢复设计与实现

对数据库系统中通常可发生的故障进行了分析并提出了恢复的实现技术。     

基于微分先行PID算法的铸锭炉温控系统

针对多晶硅铸锭炉的温度控制,提出了一种基于微分先行算法的PID控制方法。应用结果说明,该PID控制方法能对多晶铸锭炉的温度进行有效控制。     

湿法去除N型硅硼扩散过程形成的富硼层

硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HNO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。     

全固态发射机的防雷和接地

雷电对广播技术设施传输系统危害甚大，防雷与接地系统是否可靠，关系到广播设施的安全播出。文章分析了雷击的特性及袭入途径，并简要介绍了防雷的措施。     

PLC与计算机相结合的氮窑控制系统

文章介绍了一种以PLC为控制核心,结合计算机进行离散控制的氮窑控制系统.对该系统的硬件构成、软件设计及电磁兼容设计进行了阐述.     

三相全桥式开关磁阻电机转矩脉动抑制方法

针对开关磁阻电机转矩脉动大与其不对称半桥驱动控制系统开发周期长的问题,研究了一种基于转矩分配函数的三相全桥式开关磁阻电机转矩脉动抑制方法。利用三相全桥控制方式,分析了开关磁阻电机的控制逻辑,根据控制逻辑划分转角区间,进而推导了不同转矩区间的转矩模型,用推导的转矩模型确定了基于转矩分配函数的控制方法,构建了基于转矩分配函数的三相全桥式开关磁阻电机转矩脉动抑制控制系统结构,并对控制系统进行了实验研究。实验结果验证了该转矩脉动抑制方法的有效性。     

全固态中波发射机末级场效应管的更换

场效应管在全固态发射机的射频功放中应用越来越广泛 ,由于末级场效应管价格比较高 ,当管子损坏需要更换时 ,对防静电的要求很高 ,一旦操作不当就会损坏管子 ,造成损失。文章介绍了更换末级场效应管的方法和步骤。