一种新颖的低温漂高电源抑制比带隙基准源

介绍了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的高阶曲率补偿、高电源抑制比的带隙基准源。利用三极管电流增益的温度特性来实现低温度系数,并且不需要额外的电路。采用一种新颖的电压预调整器来实现高电源抑制比。结果表明,该带隙基准源在-40 ℃~120 ℃内的温度系数为2.83×10-6/℃,在低频、100 kHz、1 MHz处的电源抑制比分别为-127 、-98、-67 dB。最低工作电压为1.8 V,在1.8~3 V电源电压范围内的线性调整率为4×10-5/V,功耗为57 μW。     

罗德里格矩阵坐标转换模型的结构总体最小二乘估计

首先介绍了基于罗德里格矩阵坐标转换的基本原理,然后推导了基于罗德里格矩阵坐标转换的结构总体最小二乘的计算过程和公式,这样可以综合罗德里格矩阵坐标转换和结构总体最小二乘的优点,得到计算简单、精度更高的计算方法。最后通过算例说明该方法的有效性和可靠性。