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为了分析某迫弹圆柱部开孔后,对其气动特性和飞行稳定性的影响。文中根据实际情况建立了正常迫弹和开孔迫弹的模型,利用CFD软件对这两种外形迫弹的三维绕流流场进行了数值模拟计算,得到了这两种迫弹的气动参数,并进行了外弹道飞行试验。结果表明,在迫弹圆柱部开孔后,会使弹丸阻力系数增大,升力系数减小,稳定储备量降低,特别是在低马赫数情况下,可能使弹丸出现飞行不稳定。  相似文献   
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随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用。GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点,非常适合用于大功率、连续波功率放大器设计。基于GaN功率器件大信号模型,采用Microwave Office 2009微波设计软件对功率放大器进行仿真优化,设计并研制出了C波段高效率30 W连续波功率放大器。该放大器功率器件采用了CREE公司C波段GaN HEMT功率器件,实现放大器尺寸为190 mm×50 mm×15 mm,端口阻抗为50Ω。放大器在5 650~5 950 MHz频带内、28 V工作条件下,连续波输出功率大于30 W,增益大于45 dB,效率大于30%。  相似文献   
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