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研究了a-SiN:H的退火行为及其作为栅介质使用时,退火对a-Si:HTFT工作特性和可靠性的影响,实验事实表明,在380℃以下的退火处理a-SiN:H介电常数的变化呈单调上升趋势,对a-SiN:H TFT的工作特性和可靠性有明显的改善,温度进一步升高时,介电常数减小,a-Si:HTFT的特性变坏。 相似文献
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