传真机用的接触式图像传感器

本文首先介绍了主要由扫描电路，光电二极管和读出电路构成的接触式图像传感器的结构，接着描述了其具体的制作工艺及制作过程中的应力问题，随后讨论了光电二极管，扫描电路和传感器的特性，最后指出了接触式图像传感器在传真机方面的应用及向面阵方向发展的前景。     

移动通信用的半导体技术

介绍了移动通信的发展动向和移动通信对半导体技术的要求。给出了具体的器件技术包括Si双极晶体管、SiMOSFET、GaAsHBT、HJFET和HEMT以及电路技术。     

适合于本体微机械加工的改进的MOS IC工艺

介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。采用真空退火为的是增强钼对氮化物层的粘附性。这对ＫＯＨ腐蚀是非常重要的。实验表明这些特殊工艺步骤对ＭＯＳ器件特性毫无影响。     

台湾半导体工业现状

台湾半导体工业现状电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１引言在六十年代，台湾当局开始建立出口加工区来吸引外国投资。丰富的廉价劳动力诱发了外国半导体公司在台湾开展封装经营，从此拉开了半导体工业的序幕。由于台湾当局的积极扶持，台湾的半导体工...     

下世纪初微电子机械系统的发展

介绍了微电子机械系统的四种基本制作技术，即本体微机械加工，表面微机械加工、铸模工艺和晶片键合工艺。重点讨论了实现微系统突破的集成工艺技术。最后简单概述了传感器，执行器和微电子机械系统的发展现状。     

台湾半导体工业现状（续）

台湾半导体工业现状（续）石家庄电子工业部第十三研究所（石家庄０５００５１）李栓庆１９９４年台湾产值突破百亿，增长率达到２３１％。需求量增大给半导体制造商带来新的机会和希望。台湾的半导体厂家都认识到了只有大投入才能得到较大的回报，所以许多半导体厂家纷纷...     

松下电器产业

<正> 一、开发背景与目标现在谁也不能否认现代电子学的惊人发展是以硅器件的集成化技术为核心的。为赶上这一形势,光器件也开始向集成化的道路迈进。无论是电子器件,还是光器件,它们向集成化方向发展是技术发展的趋势,是理所当然的。大部分光器件有必要与电子电路相结合,人们期望通过光器件与电子电路集成化,也就是光电集成电路(OEIC)来解决在其连接部分由分布电容引起的频率退化和感应等问     

下世纪初微电子机械系统的发展

介绍了微电子机械系统的四种基本制作技术，即本体微机械加工、表面微机械加工、铸模工艺和晶片键合工艺。重点讨论了实现微系统突破的集成工艺技术。最后简单概述了传感器、执行器和微电子机械系统的发展现状     

GaN的同质外延生长

同质MOVPE生长的极高光学质量的GaN显示出束缚激子光致发光峰值线宽仅为95μeV,这几乎比报道的MOVPE生长的异质外延GaN(蓝宝石上横向外延过生长)最佳值窄一个数量级.研究中所用的衬底是在高氮压和高温条件下利用溶解于镓熔体的原子氮生产的,得到了面积为100mm2的GaN平板.为了得到良好的表面形貌,利用CAIBE进行了表面处理.极窄的FL线说明了这是以前未观察到的精细的GaN结构.     

SiC器件—物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ－ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ＾－１二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓ