单片高线性度低噪声宽带解调器设计

设计了一款单片高线性度低噪声宽带解调器.采用共基极输入吉尔伯特单元混频器结构实现宽带和高线性度特性,内部集成螺旋线圈变压器,实现单端向双端转换.电路采用0.18μmSiGe BiCMOS工艺技术,在2～4 GHz频段内实现宽带匹配,反射系数小于-10dB,单边带噪声系数小于14dB,输入1dB压缩点大于10dBm,相位误差小于1.5°,幅度误差小于0.5 dB.     

一种高频超宽带低插损大衰减范围CMOS数字步进衰减器

设计并实现了一种基于65 nm CMOS工艺的低插入损耗大衰减范围的高频超宽带数字步进衰减器。采用桥T型和π型衰减网络的开关内嵌式衰减结构,该结构具有端口匹配好、衰减精度高的特点;采用恒定负压偏置设计,减小了插入损耗,提高了高频超宽带性能;采用高匹配度的衰减位级联设计,实现了大衰减范围下的高精度衰减。经测试,在10 MHz~30 GHz频带范围内最大衰减量为31.5 dB,衰减步进为0.5 dB,参考态插入损耗<3.5 dB,衰减误差均方根值<0.45 dB。芯片总面积为2.30×1.20 mm^(2)。     

一种应用于锁相环的线性化电荷泵电路

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一种线性化电荷泵电路,并对线性化电荷泵原理进行了分析。基于采样保持原理的充放电电路,配合特定时序逻辑电路,实现了较优的电荷泵线性化和锁相环鉴相杂散性能。该线性化电荷泵用于锁相环的闭环测试。结果表明,与非线性化电荷泵相比,闭环100 kHz频偏处相位噪声性能提升了9 dB;与传统线性化电荷泵相比,鉴相杂散性能提升了12.05 dB。