水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长

建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型，研究了反应气体在反应室内的浓度场，讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响，并对HVPE系统反应室的设计进行了优化。材料生长结果表明，厚度均匀性良好，直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660aresee。     

n型GaSb,InGaAsSb的MBE生长和特性研究

本文报导了非故意掺杂ＩｎＧａＡｓＳｂ本底浓度的降低和掺Ｔｅｎ型ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的ＭＢＥ生长与特性的研究结果。结果表明，通过生长工艺的优化，ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ的背景空穴浓度可分别降至１．１×１０~（１６）ｃｍ~（－３）和４×１０~（１６）ｃｍ~（－３），室温空穴迁移率分别为９４０ｃｍ２／ｖ．ｓ和２６０ｃｍ~２／ｖ．ｓ。用Ｔｅ作ｎ型掺杂剂，可获得载流子浓度在１０~（１６）～１０~（１８）ｃｍ~（－３）的优质ＧａＳｂ和ＩｎＧａＡｓＳｂ外延层，所研制的材料已成功地制备出Ｄ_λ~＊＝４×１０~（１０）ｃｍＨｚ~（１／２）／Ｗ的室温ＩｎＧａＡｓＳｂ红外探测器和室温脉冲ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ双异质结激光器。     

铅酸蓄电池运行方式与维护制度的改进

当前电力系统中 ,大部分变电所用铅酸蓄电池作为保护回路和控制回路的直流电源。长期以来 ,铅酸蓄电池均按照 1 962年颁布的水电技字第 2 1号《蓄电池运行规程》、制造厂提供的说明书及《直流电源设备的运行与维护》〔1〕等资料制定现场运行维护规程 ,并采用浮充电方式运行 ,这对于提高蓄电池安全运行可靠性、延长其使用寿命起到了一定作用 ,但在实际工作中 ,我们发现了一些问题 ,并对梅河口一次变电所等几个变电所中几组不同型号的蓄电池组的运行方式和维护制度进行了改进。这些蓄电池组多年来经受了各种工况和事故放电冲击的考验 ,至今未…     

打开农业水价改革“两难”的金钥匙

<正>调整农业水价,一头连着农民和粮食安全,一头连着水资源和水安全。不提价,难以实现节约用水和工程良性运行;简单提价,会影响农民利益且难以接受。这是农业水价改革长期以来面临的"两难"问题。2016年1月,国务院办公厅发布了《关于推进农业水价综合改革的意见》,国家发改委、财政部、水利部、农业部四部委联合作出部署,要求各地有序推进农业水价综合改革,用10年左右时间建立健全合理反映供水成本、有利于节水和农田水利体制机制创新、与投融资体     

GSMBE InGaP/GaAs材料大面积均匀性研究

报道了气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs材料的晶体完整性 ,组分均匀性和表面缺陷密度。用PhilipsX Pert′s四晶衍射仪沿Φ5 0mm ,Φ75mmInGaP/GaAs样品的x轴和y轴以 5mm间隔测量ω/2θ双晶摇摆曲线 ,获得沿x轴和y轴方向的晶格失配度分布和组分涨落分布。结果表明 ,用GSMBE生长的Φ5 0mm和Φ75mmIn0 .4 9Ga0 .51 P与GaAs衬底的失配度分别为 1× 10 - 4和 1× 10 - 5,组分波动Φ5 0mm沿x轴和y轴分别为± 0 .1%和± 0 .2 % ,Φ75mm <± 1%。表面缺陷密度在 1× 10～ 1× 10 2 cm- 2 。     

AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱结构的光致发光谱

用固态源ＭＢＥ技术生长了ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱材料,研究了通过改变多量子阱ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ中的结构参数,如多量子阱中ＩｎＧａＡｓＳｂ的阱宽,ＡｌＧａＡｓＳｂ的垒宽及垒层中Ａｌ组分和阱层中的Ｉｎ组分,多量子阱中的阱数等,来提高ＡｌＧａＡｓＳｂ／ＩｎＧａＡｓＳｂ多量子阱的ＰＬ强度。     

用于n-p-nHBT的AlGaAs/GaAs多层MBE材料

本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10~(14)～1.2×10~(19)cm~(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10~(14)cm~(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下,逻辑摆幅为20mV)的结果。     

治理经济环境 莫忘社会生态——访中国科学院生态中心主任庄亚辉

中共中央作出了治理经济环境、整顿经济秩序的决定,对稳定国民经济、深化经济体制改革,起了十分重要的作用。然而,在治理经济环境的社会背景下,应该如何对待人类赖以生存的社会生态环境呢?带着这个问题,记者专程走访了著名生态学家、中科院生态中心主任庄亚辉同志。现年58岁的庄主任,为祖国的生态研究和治理工作,已默默耕耘了30多个春秋。提到生态问题,他感触良多。     

碳掺杂GaAs的MBE生长

本文在国内首次采用自行设计的碳纤维束源炉及固态源ＭＢＥ技术生长了优质碳掺杂ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ及δ碳掺杂ＧａＡｓ外延层。获得了空穴浓度从４×１０１４ｃｍ－３到２×１０１９ｃｍ－３的ＧａＡｓ材料。用霍尔效应测量仪、电化学ＣＶ剖面仪和Ｘ射线双晶衍射仪分析了外延层的质量。用Ｎｏｍａｒｓｋｉ干涉显微镜和原子力显微镜分析了ＧａＡｓ的生长过程。结果表明碳是ＧａＡｓＩＩＶ族化合物半导体的极好的ｐ型掺杂剂。