电子束光刻中的辐照损伤

本文研究了电子束光刻中电子能量(10—30keV)和电荷剂量(10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2))对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火(<500℃)的影响。研究电子束光刻中高能量(30keV)和高剂量(10~(-3)C·cm~(-2))电子束引起的损伤,对电子束汽相显影光刻和电子束无显影光刻是有实际意义的。实验表明,平带电压的损伤可高达十几伏,界面态密度可高达10~(12)cm~(-2)eV~(-1)以上。在一定电荷剂量下,平带电压的损伤对电子能量的变化(在一定范围内)不敏感。在一定电子能量下,界面态密度的损伤对电荷剂量的变化(在一定范围内)不敏感。低温(<500℃)退火能完全消除平带电压的损伤,但不能完全消除界面态密度的损伤。     

SiO_2中电子束辐照产生的电子陷阱

<正> SiO_2中的陷阱在MOS短沟道器件的设计中是一重要限制,随着MOS集成电路集成度的提高,器件尺寸的缩小,必须考虑器件的热电子效应,SiO_2中陷阱的存在使热电子注入后器件性能发生变化,严重影响器件的稳定性、可靠性,另外电子束曝光、离子刻蚀、     

对蒸汽品质不良的认识

论述锅炉系统蒸汽品质的不良原因及水、汽品质的监督和改善。     

国产液环真空泵机组在PTA项目中的应用

一、前言 PTA是聚酯纤维的基础原料，其工艺过程复杂，技术含量高，以往国内的PTA生产线发展相对滞后。20世纪90年代后，原材料PTA的强大市场需求刺激了国内对PTA生产线的投资，为降低成本，加速我国的工业现代化，实施PTA设备国产化势在必行。     

可逆换热器切换控制程序的实现

我厂引进 1套 32 0 0ｍ3(标 ) /ｈ的切换式空气分离系统 ,集散控制系统 (ＤＣＳ)采用ＳＵＰＣＯＮＪＸ- 30 0。为了保证可逆换热器切换阀门按照时序正常开关 ,且具有良好的监视操作画面 ,采用了ＳＣＸ语言编制了相应的程序。1　工艺流程 (见图 1 )可逆换热器主要是用来去除空气中的水分和二氧化碳。在换热器中 ,随着温度的降低 ,水分和二氧化碳冻结在翅片上 ,再利用返流的污氮将冻结在翅片上的水分和二氧化碳带出装置。图 1　可逆换热器工艺流程图　　本装置含 8只单个换热器 ,分成 4组 (Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ) ,其中ＡＢ、ＣＤ分别互为一个系统。…     

用电化学C－V技术研究Ga In P／GaAs异质结界面特性

本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４．４６×１０１１ｃｍ－２，并推算出导带差△Ｅｃ为１２６ｍｅＶ，相应于△Ｅｃ＝０．２８△Ｅｇ。     

直接写入电子束光刻中的辐照损伤

对电子束曝光时间和束流改变引起的ＭＯＳ器件阈值电压有效迁移率的变化以及辐照损伤的消除作了研究，并对辐照损伤及退火的机理进行了探讨。     

树枝状氧化铁单晶的合成及其电化学性能研究

因其低成本和高的储锂能力,Fe2 O3作为一种极具潜力的锂离子电池负极材料而受到广泛的关注.采用水热法一步合成Fe2 O3,并应用在锂离子电池负极材料.采用XRD、SEM和TEM对样品的晶型与形貌进行分析,表明合成样品为树枝状Fe2 O3单晶.在电池的电化学测试中,树枝状Fe2 O3单晶电极表现出优异的循环稳定性(在1...     

IRRADIATION DAMAGES IN ELECTRON BEAM LITHOGRAPHY

The irradiation damages in the electron beam lithography(EBL)to Al-gate MOS capacitors inthe ranges of 10—30keV and 10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2) and the effects of annealing on damages at lowtemperature(<500℃)are given.The research on damages caused by high electron energy(30keV)and ultra-high dosages(10~(-4)—10~(-3) C·cm~(-2))is important and useful to the EBL.The resolution canbe improved by high electron energy.Both the EBL with vapor-development and withoutdevelopment are all operated at ultra-high dosages.After irradiations,the concentrations of inter-face states can increase by about one to two orders of magnitude and the flat-band voltages by abouta few to more than ten volts.Under constant exposure dosages,the fiat-band voltages areindependent of the changes of electron energies in certain energy ranges.Under constant electronenergies the concentrations of interface states are independent of the changes of exposure dosages incertain dosage ranges.After annealing,the flat-band voltages can recover the values before theirradiations for energies and dosages in the ranges of 10—30keV and 1×10~(-6)—6×10~(-3)C·cm~(-2)respectively.The interface state concentrations due to the damages of ultra dosages can not beremoved completely.     

Al_xGa_（1－x）As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰都非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子的扩散，因此ＳＩＭＳ剖面的展宽与扩散无关。另外，我们还发现Ａｓ＿４压强高于１．５×１０￣（－５）ｍｂａｒ时，Ａｓ＿４压强对δ掺杂空间分布影响不大，而Ａｓ＿４压强低于此压强时，Ｓｉ掺杂分布峰宽度增加很快，这主要由杂质扩散作用引起。生长温度对掺杂分布峰影响最大，其次是Ａｌ组份影响，而较小Ａｓ＿４压强的影响不可忽视。这些研究结果对外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料是有价值的。