集成电路有机基板倒装焊失效分析与改善

为了满足产品便携化和多功能化的需求,芯片设计正朝着多功能和大规模集成的趋势发展,集成电路封装也逐步向大尺寸、高密度的方向演进,特别是倒装芯片技术的应用,可以实现更高的封装密度和更快的信号传输速度。然而,不同材料的热膨胀系数存在差异,热失配容易引发互联凸点开路失效。为研究有机基板倒装焊集成电路在封装制程中失效的原因,采用扫描电子显微镜（SEM）结合有限元分析法,模拟有机基板在温度循环和回流焊过程中的应力分布状态并进行分析,结果表明,在回流焊过程中有机基板四周边缘位置的凸点所受应力较大。采用磁性载具和在焊盘上预制焊料的方法可以显著降低电路失效风险。     

CNTs辅助球磨对Zr粉形貌和氧化性能的影响

研究了不同球磨时间条件下CNTs辅助球磨对Zr粉形貌和氧化性能的影响。采用XRD和SEM分析了球磨过程中Zr粉的物相组成和形貌演变,采用热重（TG）法评估了Zr粉的氧化性能。结果表明：添加CNTs辅助球磨对Zr粉的物相组成没有影响,但是会影响Zr粉的形貌和氧化性能。不添加CNTs时,随着球磨时间的增加（1 h~3 h）,Zr粉粒径持续减小,球磨3 h后,Zr粉粒径由十几 μm减小到2~3 μm。添加CNTs辅助球磨后,Zr粉的颗粒细化过程滞后,球磨初期（1 h~2h）,Zr粉粒径没有显著变化,直到球磨时间延长到3 h时,Zr粉粒径才开始明显减小。这是因为CNTs在Zr颗粒表面的黏附和CNTs在Zr粉中的团聚阻碍了磨球对Zr颗粒的机械冲击和破碎作用。与直接球磨Zr粉相比,当所得Zr粉粒径相差不大时,添加CNTs辅助球磨使Zr粉的起始氧化温度和峰值氧化温度降低了11 ℃ ~37 ℃,这是因为CNTs的良好导热性促进了Zr粉氧化过程中的传热。另一方面,球磨时间少于2 h时,Zr/CNTs混合物中Zr粉的氧化增重量比纯Zr粉的增重量略有降低,但球磨时间超过2 h时,这种趋势出现反转。前者是因为短时间球磨时,CNTs引起Zr粉的局部团聚,阻碍了团聚体中Zr粉与氧气的接触,并且混合物中的Zr粉颗粒还没有被明显细化,这都降低了Zr粉的氧化程度;随后的反转趋势是因为球磨时间增加后,混合物中的Zr粉开始明显细化,促进了其氧化反应的进行,但是纯Zr粉由于颗粒尺寸提前细化而发生了显著的自发氧化,降低了活性Zr的含量。     

一种用于高频S参数的去嵌算法

在S参数的测量过程中，需通过去嵌方法去除测试夹具带来的结果误差。该算法通过时域的方法对夹具进行分解。接着将分解得到的夹具S参数采用ABCD矩阵运算进行去除，从而得到待测器件的S参数。通过设计测试板来进行实验，将该算法与传统的AFR和Delta L方法进行了比较，验证了该去嵌算法对高频信号的有效性以及准确性。同时由于该算法先分解再去嵌的特性，使其可应用于左右夹具不一致的情况。