磁敏Z元件位移传感器的研究

研制出一种新型磁敏Z元件位移传感器。并对磁敏Z元件的伏安特性和磁敏特性进行研究,给出了实验结果。设计了由信号采集、数据处理以及数字显示等电路构成的系统,实现了位移量的测量。由于Z元件的特殊性质,其应用电路较为简单。     

Co掺杂对Ni-Mn-Sn铁磁形状记忆合金磁性质的影响(英文)

采用第一性原理计算揭示了Co掺杂对Ni-Mn-Sn形状记忆合金磁性质的影响。结果表明,掺杂Co使Ni-Mn-Sn合金中两相饱和磁化强度差增大的原因在于其奥氏体的Mn-Mn磁交换作用由反铁磁性转变为铁磁性。奥氏体的顺磁态与铁磁态的能量差对Ni-Co-Mn-Sn的磁转变有重要影响。此外,Co掺杂对磁性的影响与Mn 3d态的改变有关。     

简易可燃气体报警及浓度显示装置的设计

针对常用的气体报警电路只能报警但不能显示气体浓度的不足，在常用电路的基础上添加了浓度显示装置，并可实现对多种气体的测量。     

在电共沉积GaAs薄膜上制作肖特基势垒的研究

应用化学电共沉积法在Ti片、导电玻璃和导电PI基片上制备了GaAs多晶薄膜,并在薄膜上应用电子束蒸发淀积了一层超薄的SiOx,然后采用PVD法在其上淀积一层金属薄层,制备出MIS结构的肖特基势垒。经测试Ag-SiOx-nGaAs结构和Au-SiOx-nGaAs结构的I-V特性,表明所制备的肖特基势垒具有良好的整流特性。     

电容型传感器接口电路的研究

设计了一种结构简单、新颖的电容型传感器接口电路.电路中放大器的第一级采用折叠式共源共栅结构,提供了较高的增益;第二级采用共源级结构,提高了输出摆幅;采用CMOS开关构成的开关电容电路提高了电路的精度.基于0.6μm CMOS工艺对电路进行了设计,并对整体接口电路进行了仿真.仿真结果表明,与传统的接口电路相比,该电路具有高增益与高精度的特点,从而更好地实现了对微小电容的检测.     

PEHPB的光电特性

在温和的反应条件下合成了聚 2-乙炔基 N-己基吡啶.反应是通过直接聚合 2-乙基吡啶和相对应的N-己基卤化物完成的.聚合过程既不需要任何的起始条件也不需要催化剂.聚合反应的聚合物产率很高.聚合物结构是具有 N-己基吡啶分支的共轭结构.测量了聚合物的光电性能.当光电子能量为 2.06 eV时,PEHPB 的光致发光峰出现在 603 nm处.     

高电阻值的简便测量方法

介绍了一种利用两个低值电阻实现对高值电阻的简便测量方法,提出了选用低值电阻的条件,分析了此测量方法的误差。     

应用磁敏Z元件直流无刷电机电子换相电路的研究

对磁敏Z元件的基本伏安特性、磁敏特性进行了实验测试,给出了实验结果,从内在微观结构和导电机理上对磁敏Z元件的特殊性质进行了分析.利用磁敏Z元件的特性,设计了用磁敏Z元件作位置传感器的直流无刷电机的电子换相电路,实现了在磁敏Z元件采集到的正弦信号驱动下对四个绕组有序选通的控制,并针对Z元件输出信号随温度漂移的现象进行了测试分析.     

卡尔曼滤波方法在自然伽马能谱测井的应用

将卡尔曼滤波方法用于自然伽马能谱测井，由五能窗记数率估计出地层的钍，铀，钾含量。由于地层变化的未知性，采用马尔科夫过程予以描述，实测数据处理结果表明了方法的有效性。     

“硬件描述语言”课程改革探索与研究

本文针对"硬件描述语言"课程理论和实践教学中存在的一些问题,详细介绍了该课程教学改革的思路和措施。笔者从课程定位和目标、教材建设、理论教学和实践教学等方面论述了教学改革的具体做法。通过深入改革教学内容、增加具有应用背景的设计实例以及建设多层次的实践教学体系,教学效果已得到明显改善。