用MBE和原位离子束光刻技术制备的2DEG基区热电子晶体管

用ＭＢＥ和原位离子束光刻技术制备的２ＤＥＧ基区热电子晶体管据《ＩＥＥＥＥ．Ｄ．》４２卷第６期报道，Ｓ．Ｇ．Ｉｎｇｒａｍ等以ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系统材料，将原位聚焦离子束（ＦＩＢ）隔离技术与ＭＢＥ再生长工艺相结合，克服了需要形成不同传导层之选择欧姆接...     

采用缓变In_xGa_（1－x）As沟道的高性能δ掺杂GaAs／In_xGa_（1－x）As PHEMT

采用缓变Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ沟道的高性能δ掺杂ＧａＡｓ／Ｉｎ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ　ＰＨＥＭＴ近来，ＩｎｘＧａ；－ｘＡｓ三元合金已被公认为高电子迁移率晶体管有前途ｆ的沟道材料，因为它的有效质量较小，Ｆ一Ｌ间隙较大。据（（ＩＥＥ．Ｄ．Ｌ．）１９９...     

单片1×2W波段4级低噪声放大器阵列

单片１×２Ｗ波段４级低噪声放大器阵列在毫米波监视雷达、灵巧武器系统和辐射测量系统等应用领域，毫米波单片集成电路对习用的混合集成电路的优势在于它尺寸小，大批量生产的重复性好，且成本低。在这些系统的接收链路中，低噪声放大器（ＬＮＡ）是一个关键的部件。据１...     

高温稳定电路用的AlGaAs／GaAs／AlGaAsDHBT

高温稳定电路用的ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓＤＨＢＴ在深级钻探、工业加工控制和航天航空等领域所使用的电子设备都要设计得能在３５０℃，甚至更高的温度下工作。ＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓ系统正好能够适合这一温度范围的要求，因为其带隙大于１．４ｅＶ。据《...     

小型GPS译码器组件

小型ＧＰＳ译码器组件据《１９９５ＩＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇ．》报道，Ｊ．Ｓｍｕｋ等设计研制成一种由７块ＧａＡｓ单片构成的小型环球卫星定位系统（ＧＰＳ）译码器组件。该组件能够将Ｃ／Ａ编码的Ｌ１ＧＰＳ信号译成２２００～２２９０ＭＨｚ的遥测波段，主要用于跟踪...     

120 GHz InGaAs／InAIAs／InP HEMT LNA

１２０ＧＨｚＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡＩＡｓ／ＩｎＰＨＥＭＴＬＮＡ在雷达、辐射计、遥感和成象等系统的应用方面，Ｄ波段（１１０～１７０ＧＨＺ）高性能接收机的发展有着重要意义。据《ＩＥＥＥＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＧ．Ｗ．Ｌ．）｝１９９４年第６期报道，Ｒ．Ｌａｉ...     

30～40GHz单片压控振荡器

３０～４０ＧＨｚ单片压控振荡器据《ＩＥＥＥＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＧｕｉｄｅｄＷａｖｅＬｅｔｔ．》第４卷第８期报道，Ｋ．Ｒｉｅｐｅ等用高速ＧａｌｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ研制成一种３０～４０ＧＨｚ的单片压控振荡器（ＶＣＯ）。该ＶＣＯ的设计采用共射极ＨＢＴ组...     

T／R组件的高密度微波封装

Ｔ／Ｒ组件的高密度微波封装据《１９９５ＩＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇｅｓｔ》报道，休斯飞机公司的ＪｏｈｎＷｏｏｌｄｒｉｄｇｅ开发出一种Ｘ波段有源阵列雷达用Ｔ／Ｒ组件的低成本三维高密度微波封装（ＨＤＭＰ）技术。该项目主要集中在多层氮化铝（ＡＩＮ）衬底的设计、...     

超导体热电子测热辐射计式混频器

超导体热电子测热辐射计式混频器就射电天文学和遥感应用而言，太赫（ＴＨＺ）超外差接收机中的传统式混频器将受到最近问世的热电子混频器（ＨＥＭ）的挑战。ＨＥＭ是用电阻态超导体膜制作的。从电路和工艺技术的观点出发，此种新型的混频器比ＳＩＳ和肖特基混频器都简便...     

Ka波段GaAs HBT PIN二极管开关和移相器

Ｋａ波段ＧａＡｓＨＢＴＰＩＮ二极管开关和移相器在要求开关速度快、功率处理能力强的微波电路领域，ＰＩＮ二极管的工艺简单，用ＨＢＴ材料体系中的基区层（ｐ＋）、集电区层（ｎ－）和集电区第二层（ｎ－）就可容易地制成，因而使含有开发、移相器和放大器的多功能组件...