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We have theoretically calculated the photovoltaic conversion efficiency of a monolithic dual-junction GaInP/GaInAs device,which can be experimentally fabricated on a binary GaAs substrate.By optimizing the bandgap combination of the considered structure,an improvement of conversion efficiency has been observed in comparison to the conventional GaInP_2/GaAs system.For the suggested bandgap combination 1.83 eV/1.335 eV,our calculation indicates that the attainable efficiency can be enhanced up to 40.45%(30... 相似文献
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针对光伏并网发电系统主电路的特点,提出了将光伏并网发电与无功补偿、有源滤波相统一的思想。新的系统结构和控制策略使光伏并网发电装置能够同时实现光伏并网发电与无功、谐波的补偿。在夜间或故障停电时,仍可以对系统进行无功、谐波补偿。详细分析了系统的基本原理和控制策略,针对控制策略中PI调节器参数难以整定且控制器缺乏自适应性的不足,引入了基于瞬时无功功率理论的模糊自适应PI控制策略,利用MATLAB/Simulink对系统进行了仿真验证,仿真结果验证了所提出系统及其控制策略的可行性。 相似文献
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利用磁控溅射在石墨衬底上制备了非晶硅薄膜,并使用快速热退火对薄膜进行了晶化处理。XRD分析表明,直接溅射沉积在石墨衬底上的硅薄膜经过快速热退火后具有高度的(220)择优取向。通过在硅薄膜和石墨衬底界面处引入一定厚度的ZnO中间层,晶化后的多晶硅薄膜择优取向实现了从(220)向(400)的转变,从而非常有利于将成熟的制绒工艺应用于该材料体系的电池制备过程中。对于择优取向的转变提出了解释,认为Si(100)面和ZnO(001)面晶格匹配是主要原因。喇曼分析表明ZnO中间层的引入提高了多晶硅薄膜的晶体质量。 相似文献
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在石墨衬底上分别制备了具有(220)和(400)择优取向的多晶硅薄膜.首先利用磁控溅射技术直接在石墨衬底上制备非晶硅薄膜层,以及先制备 ZnO 过渡层,再在 ZnO 过渡层上制备非晶硅薄膜层;然后采用快速退火法对非晶硅薄膜晶化,使其形成多晶硅薄膜籽晶层.XRD 测试表明,未引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(220)择优取向,而引入 ZnO 过渡层的多晶硅薄膜籽晶层具有高度(400)择优取向;最后在多晶硅籽晶层上通过对流辅助化学气相沉积(CoCVD)制备多晶硅薄膜.根据 SEM、XRD、拉曼测试表明,多晶硅薄膜的性质延续了多晶硅籽晶层的性质,未引入 ZnO 过渡层的样品,具有高度(220)择优取向.引入 ZnO 过渡层后的样品,具有高度(400)择优取向,(400)择优取向的转变有利于后续多晶硅薄膜太阳电池的制作.同时对 Si(220)和 Si (400)择优取向的形成原因做了初步分析. 相似文献
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为获得较优的电网发展演化方式,基于复杂网络理论建立了与云南电网具有相同规模和相近连接数的改进无标度网络、局域世界网络、小世界电网和时空演化网络,并对比分析了上述5个网络的统计特性和对蓄意攻击的鲁棒性。分析结果表明,不同的发展演化方式得到的网络统计特性和鲁棒性均存在较大的差异,且容量增长对提高不同网络鲁棒性的效果不同。5个网络的拓扑结构分析结果表明容量和结构是影响网络鲁棒性的两个重要因素。所得结论可以为电网结构的规划和设计提供参考和依据。 相似文献
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