应力制约的InSb焦平面探测器均匀性

采用焦平面探测器均匀性作为衡量InSb芯片承受应力的方法,通过工艺改进有效地降低了应力水平,提高了128×128 InSb焦平面探测器的均匀性,取得了响应非均匀性为3.0%的结果.     

InSb阵列探测芯片的感应耦合等离子反应刻蚀研究

利用感应耦合等离子（ICP）反应刻蚀（RIE）进行了InSb阵列芯片台面刻蚀,并利用轮廓仪、SEM及XRD对台面形貌以及刻蚀损伤进行分析。采用优化的ICP刻蚀参数,实现的刻蚀速率为70~90 nm/min,刻蚀台阶垂直度~80°,刻蚀表面平整光滑、损伤低。与常规的湿法腐蚀相比,明显降低了侧向钻蚀。台面采用此反应刻蚀工艺,制备了具有理想I-V特性的320×256 InSb探测阵列芯片,在-500 mV到零偏压范围内,光敏元（面积23 μm×23 μm）的动态阻抗（Rd）大于100 MΩ。     

InSb的电感耦合等离子体刻蚀技术研究

随着InSb红外焦平面探测器的发展,焦平面阵列规模越来越大,像元面积越来越小.湿法刻蚀因其各向同性的特点,导致像元钻蚀严重,越来越难满足大规格InSb焦平面器件的要求.研究了以Ar/CH4/H2作为刻蚀气体,利用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀大规格InSb晶片的初步研究结果,研究不同RF功率、腔体压力和Ar的含量对刻蚀速率、表面形貌的影响及InSb表面残留聚合物的去除方法.     

抗氧化胡萝卜籽肽的分离鉴定及活性表征

为从胡萝卜籽中纯化具有较高活性的抗氧化肽。采用凝胶过滤色谱和反向高效液相色谱法对胡萝卜籽蛋白酶解液进行分离纯化,以DPPH自由基清除率为指标,最终获得2个活性较强的抗氧化肽组分F3-a和F3-b。通过液质联用LC-ESI-MS/M分析得到其氨基酸序列分别为Lys-Asp-Asn-Phe-Leu-Phe(KDNFLF)和LeuPhe(LF)。此外,对2个多肽的ABTS自由基清除率、超氧阴离子自由基清除率和脂质过氧化抑制能力进行了测定,KDNFLF和LF均表现出较强的自由基清除活性。说明纯化的胡萝卜籽抗氧化肽具有良好的活性,可以作为潜在的抗氧化剂应用于食品工业及医药行业中。     

混成式InSb焦平面器件的湿法倒角技术研究

针对焦平面器件在抛光过程中出现的崩边和深划伤问题,通过分析采用了湿法倒角工艺,并进行了倒角可行性试验、倒角对电极的影响和对电路连通性的影响等实验.结果表明,用湿法倒角技术不仅使InSb边缘没有尖锐的角,并且对器件的电性能没有影响,抛光后可得到高光洁的表面,最终得到性能良好的焦平面器件.