选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖

使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征.结果表明,在合适的条件下,微探尖呈金字塔状,并且有着较好的分布周期性.这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值.     

选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖

使用GaAs（001）衬底模拟垂直腔面发射激光器（VCSEL）外延片表面，采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列，并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征．结果表明，在合适的条件下，微探尖呈金字塔状，并且有着较好的分布周期性．这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值．     

液相外延生长GaAs微探尖刻蚀剥离技术研究

介绍一种用于扫描近场光学显微术(NSOM)传感头的GaAs微探尖的生长剥离技术.通过SiO2掩膜窗口,利用一次选择液相外延制备周期性阵列的GaA微探尖.在GaAs衬底与GaAs微探尖之间引入AlGaAs层,并对窗口大小的AlGaAs层进行选择腐蚀,将单个GaAs微探尖从GaAs衬底上剥离下来.扫描电子显微镜显示的结果表明,此微探尖具有金字塔结构、表面光滑凡转移过程无损伤.这种技术制备的GaAs微探尖的形貌与质量主要由晶体的结构决定,具有可重复,表面光滑、适合批量生产的优点.     

LPE-GaAs微探尖与VCSEL的粘合集成

介绍了应用于扫描近场光学显微术(SNOM)传感头的GaAs微探尖与垂直腔表面发射激光器(VCSEL)的粘合集成方法,并利用扫描电子显微镜对集成后的微探尖与VCSEL进行了表征.结果表明,该种方法能够成功地将微探尖转移并集成到VCSEL的出光窗口上,实现微探尖与出光窗口的对准,并且整个过程中不会对微探尖造成损伤.这种技术对进一步实现由带有PIN光探测器的VCSEL与GaAs微探尖的混合集成式SNOM传感头有着重要的应用价值.