Material properties and effective work function of reactive sputtered TaN gate electrodes

The resistivity,crystalline structure and effective work function（EWF） of reactive sputtered TaN has been investigated.As-deposited TaN films have an fcc structure.After post-metal annealing（PMA） at 900℃,the TaN films deposited with a N₂ flow rate greater than 6.5 sccm keep their fee structure,while the films deposited with a N₂ flow rate lower than 6.25 seem exhibit a microstructure change.The flatband voltages of gate stacks with TaN films as gate electrodes on SiO₂ and HfO₂ are also measured.It is concluded that a dipole is formed at the dielectric-TaN interface and its contribution to the EWF of TaN changes with the Ta/N ratio in TaN,the underneath dielectric layer and the PMA conditions.     

4H-SiC PIN二极管的正向特性计算模型

提出了一种基于双极性扩散方程的PIN二极管的一维物理计算模型。该模型主要针对PIN二极管的正向温度特性研究,考虑了载流子扩散系数、载流子迁移率、禁带变窄效应、载流子寿命随温度变化的影响。介绍了双极性扩散方程的傅里叶级数解,利用方程的傅里叶级数解推导得到一组微分方程,并采用迭代法求解。利用该模型计算分析了4H-SiC PIN二极管在298～498 K温度下的正向电学特性,分析了PIN二极管的PN结处的电子电流和空穴电流的分布,结合SILVACO-TCAD仿真软件,设计了一种器件结构,仿真结果与计算模型基本吻合。最后结合实验数据验证了模型的准确性。     

一种适用于低压高速嵌入式应用的2T P沟道纳米晶存储器件

本文基于嵌入式应用的低压、高速要求,提出了一种基于2T结构的P沟道纳米晶存储新型结构。该器件采用带带隧穿激发热电子注入(BTBTIHE)的编程方式,可以同时实现高速、低功耗编程。同时采用2T结构以简化外围高压和读出电路。该器件具有良好的存储特性,包括高编程速度（5us编程脉冲下获得1.1V窗口）和优异的数据保持特性（在10年的保持时间电荷损失仅为20%）。该器件在嵌入式非挥发存储领域具有很强的应用潜力。     

MOS器件栅介质层陷阱的表征方法

随着MOS器件按比例缩小,MOS器件的可靠性问题正成为限制器件性能的一大瓶颈。作为可靠性研究的一个热点和难点,MOS器件栅介质可靠性的研究一直是学术界和工业界研究的重点。普遍认为,栅介质中的陷阱是引起栅介质退化乃至击穿的主要因素,对栅介质中陷阱信息的准确提取和分析将有助于器件性能的优化、器件寿命的预测等。针对几十年来研究人员提出的各种陷阱表征方法,在简单介绍栅介质中陷阱相关知识的基础上,对已有的界面陷阱和氧化层陷阱表征方法进行系统的调查总结和分析,详细阐述了表征技术的新进展。     

建筑装饰装修工程施工要点及质量管理对策

为有效保障建筑装饰装修工程的施工质量与效果,并实现工程成本的节约,文章阐述了建筑装饰装修工程的特点,探究了建筑装饰装修工程施工的要点,提出了建筑装饰装修工程施工质量管理的对策,包括注重施工质量管理理念的科学运用、做好材料质量保障工作、建立完善的施工技术管理体系、提高施工人员的综合素质、注重施工监管机制的完善。     

电荷俘获存储器阻挡层研究进展

随着非挥发性存储器(NVM)存储单元的特征尺寸进入20 nm节点,使用单层SiO2作为阻挡层的传统电荷俘获存储器结构性能上逐渐受到限制。基于阻挡层在存储器栅堆栈中的作用与基本要求,首先,指出单层SiO2作为阻挡层存在的主要问题,然后对高介电常数材料作为阻挡层时,其禁带宽度、介电常数、内部的缺陷密度以及退火工艺等方面对存储特性的影响进行了分析,同时对近年来研究较多的阻挡层能带工程进行了详细介绍,如SiO2和Al2O3的复合阻挡层结构、多层高介电常数材料的阻挡层结构等。最后,对目前研究进展中存在的问题以及未来的研究方向和趋势进行了总结和展望。     

基于硅纳米晶的非挥发存储器制备与存储特性

硅纳米晶非挥发存储器由于其卓越的性能以及与传统工艺的高度兼容性,近来引起高度关注。采用两步低压化学气相淀积(LPCVD)生长方式制备硅纳米晶(Si-NC),该方法所制备的硅纳米晶具有密度高、可控性好的特点,且完全兼容于传统CMOS工艺。在此基础上制作四端硅纳米晶非挥发存储器,该器件展示出良好的存储特性,包括10 V操作电压下快速地擦写,数据保持特性的显著提高,以及在105次擦写周期以后阈值电压(Vt)飘移低于10%的良好耐受性。该器件在未来高性能非挥发存储器应用上极具潜质。     

可嵌入式应用的新型2T结构硅纳米晶存储器

本文研究了2T硅纳米晶非挥发存储器性能和可靠性。存储单元可获得良好性能,包括低压操作下快速的擦写速度,卓越的数据保持特性（保持10年）,良好的耐受性（10k次擦写周期以后小于10%的阈值电压飘移）。数据表明了此器件在未来嵌入式非挥发存储应用的可能性。     

2-甲基-4-三氟甲基-5-噻唑甲酸在DMF水溶液中溶解度的测定及关联

采用合成法测定了常压下2-甲基-4-三氟甲基-5-噻唑甲酸在DMF水溶液中的溶解度,并用经验方程、简化的溶解度方程、Apelblat方程对实验数据进行关联,结果表明上述方程均能较好的关联溶解度数据,所得结果对2-甲基-4-三氟甲基-5-噻唑甲酸结晶工艺的研究具有较大的指导意义。     

住宅建筑室内装饰装修工程质量管理

要想更好地保障建筑装饰装修的质量,必须提高建筑室内装饰装修施工质量。基于此,文章探究了住宅建筑室内装饰装修施工的要点,阐述了住宅建筑室内装饰装修工程质量管理的意义,提出了住宅建筑室内装饰装修工程质量的管理措施。