SoC嵌入式flash存储器的内建自测试设计

深亚微米技术背景下，嵌入式存储器在片上系统芯片(system-on-a-chip，SoC)中占有越来越多的芯片面积．嵌入式存储器的测试正面临诸多新的挑战。本文论述了两种适合SoC芯片中嵌入式flash存储器的内建自测试设计方案。详细讨论了专用硬件方式内建自测试的设计及其实现，并且提出了一种新型的软硬协同方式的内建自测试设计。这种新型的测试方案目标在于结合专用硬件方式内建自测试方案并有效利用SoC芯片上现有的资源，以保证满足测试过程中的功耗限制，同时在测试时间和芯片面积占用及性能之间寻求平衡。最后对两种方案的优缺点进行了分析对比。     

热电薄膜型微传感器的优化设计

详细分析了一维热电薄膜型微传感器的优化设计模型 ,探讨了热阻、灵敏度和探测率与传感器几何尺寸之间的关系。分析的时候考虑到热电堆的热端与敏感面的距离 m对传感器性能的影响。经过分析得出 :当 m(热电堆到热敏感面距离 )为定值时 ,灵敏度 S随梁长 l增大而增大 ,探测率 D*随着 l的增大先增大后减小 ;当 l为定值时 ,S和 D* 均随 m增大而减小。用曲线形式所表示的分析结果为此类传感器的优化设计提供了依据。     

温度自适应性DRAM刷新时钟电路

动态存储器(DRAM)需要通过刷新来保持内部的数据.为降低存储器刷新过程的电路功耗,设计一种具有温度自适应特性的刷新控制电路.根据二极管的电流在阈值电压附近的温度特性,利用电容充放电的结构,提出一种具有温度自适应特性的刷新时钟电路,使存储器刷新频率随电路温度变化而变化,其趋势符合动态存储器的刷新要求.仿真实验结果表明,新的电路在保证DRAM信息得到及时刷新的前提下,有效地降低了其刷新过程中的功耗.     

CMOS集成二维风速和风向传感器的研制

提出了一种新型结构的二维风向和风速传感器，其芯片上集成有运算放大电路。它主要由位于绝缘薄膜上的热敏感元件和加热电阻所组成，其中热敏感元件由两组互相垂直且分别对称放置的铝／多晶硅型热电堆所构成，加热电阻位于热敏感元件的中间。具体阐述了此传感器的工作原理、结构尺寸和制备工艺，最后给出了试制的芯片和传感器的测量结果。     

热电薄膜型气体流量传感器的热模拟分析

本文利用有限元分析工具ANSYS/FLOTRAN,模拟并分析了一个基于薄膜结构的热电型气体流量传感器的温度场.并具体地分析了在气体流量通道入口处气体的流向角度对传感器输出信号以及气体流动状态的影响.将最终的模拟计算结果与实验数据进行比较,发现二者基本吻合.利用此热学模型来模拟和分析此类传感器,不但可以减少大量的模拟分析过程而且可以降低计算的复杂度,同时也为该类传感器的进一步优化设计提供了一个非常简单而有效的方法.     

硅热流量传感器的研究与发展

本文详细地介绍了硅热流量传感器的工作原理并对它进行了细致的分类,同时概括了其发展和应用情况,最后对其目前发展过程中一些尚待解决的问题及其未来的发展趋势进行了讨论。     

AC-13改性沥青混合料劈裂强度影响因素与变异性

沥青混凝土路面强度不足是导致早期损坏的主要形式之一.应用马歇尔正交试验设计,采用数理统计方法研究了AC-13 SBS改性沥青混合料15℃劈裂强度的影响因素及其变异性,以及与密度、空隙率的相关性.结果表明:2.36mm,4.75 mm和0.075 mm筛孔通过率对劈裂强度影响显著,其中2.36 mm筛孔通过率对劈裂强度的影响接近高度显著,而油石比和9.5 mm筛孔通过率对劈裂强度影响不显著;0.075 mm和9.5 mm筛孔通过率是劈裂强度变异性的主要影响因素;劈裂强度与试件毛体积相对密度、空隙率之间存在线性相关性,其相关系数均大于0.68.同时给出了材料组成设计和质量控制措施的建议,对提高沥青混合料力学性能具有指导作用.     

热电薄膜型气体流量传感器的热模拟分析

利用有限元分析工具ANSYS/FLOTRAN ,模拟并分析了一个基于薄膜结构的热电型气体流量传感器的温度场。并具体地分析了在气体流量通道入口处气体的流向角度对传感器输出信号以及气体流动状态的影响。将最终的模拟计算结果与实验数据进行比较 ,发现二者基本吻合。利用此热学模型来模拟和分析此类传感器 ,不但可以减少大量的模拟分析过程而且可以降低计算的复杂度 ,另外也为此类传感器的设计和验证提供了一个非常简单而有效的方法和依据。     

亚65nm静态随机存储器稳定性提高技术

CMOS工艺进入到65nm节点后,工作电压降低,随机掺杂导致阈值电压变化增大,给SRAM的读写稳定性带来挑战。介绍了目前业界最新的主要稳定性提高技术。双电源电压、直流分压、电荷共享和电容耦合通过改变字线或者存储单元电压来提高读写稳定性,这些技术都采用外加读写辅助电路来实现;超6管存储单元通过在传统6管单元上增加晶体管,有效提高了读写稳定性;三维器件FinFET构成的SRAM具有传统器件无法比拟的高速、高稳定性、面积小的特点。对这些技术的优缺点作了分析比较。