VLSI全定制版图分级LVS验证的研究

在VLSI芯片的全定制版图设计中，LVS验证日益复杂繁琐，本文系统介绍了用HERCULES实现LVS验证的原理、流程和配置文件，并讨论了如何用HERCULES高效率的实现分级LVS(Hierarchical LVS，简称HLVS)验证，这些技术和方法已经应用在成功流片的64位通用CPU全定制版图的设计中，提高了版图LVS验证的效率。     

灰色DEA模型及其白化方法

在文献［１］、［２］的基础上．进一步研究了灰色ＤＥＡ模型的白化问题，给出了几种简便易行的求解方法及算例。     

空心圆柱试样真三轴仪应力路径的控制

介绍了新研制的空心圆柱试样真三轴仪内外腔加载压力独立控制的机电液光一体化电液伺服加载装置,以及由步进电机独立控制沿试样轴向方向的载荷和为实现主应力旋转在试样端面上施加设定的控制扭矩的加载装置。采用卡尔曼滤波及预报递推控制算法,克服步进电机加载系统与电液伺服加载装置响应速度不一致的问题,从而在连续加载试验中,使尽可能多的离散点遵循设定的加载应力路径。     

功率晶体管稳态工作寿命试验条件研究

介绍了现行标准规定的功率晶体管稳态工作寿命试验条件,讨论了试验条件的选择问题,提出了选择最高结晶ＴＪＭ,最大额定功率Ｐｔｏｔｍａｘ和与Ｐｔｏｔｍａｘ相应的壳温Ｔｃ作为试验条件的观点。     

微波功率晶体管的金属气密封装

提出了晶体管自身组态与电路组态匹配的思想,介绍了一种微波功率晶体管的金属气密封装--选极F型封装技术.还介绍了1.5GHz和2.0GHz选极F型封装微波功率晶体管的技术指标和功能特征.     

选极F型封装功率晶体管及其功能特征

本文在对现行功率晶体管封装方式进行技术分析,分别指出不同封装方式之优缺点的基础上,提出了改善功率晶体管封装性能的技术措施—选极Ｆ型封装技术,并介绍了利用这种技术措施研制的选极Ｆ型封装功率晶体管的功能特征等技术内容。     

不确定性防灾投资的效益分析及计算方法

针对不确定性防灾投资 ,首先定义了期望效用函数 ,在此基础上扩展了等价变动的概念 ,并根据等价变动补偿额的支付形式 ,定义了 3种防灾投资的效益 ,给出了计算方法。将 3种效益定义及算法应用于防洪投资实例 ,通过计算比较找出了其中最优的效益定义。本文还定义了不确定性防灾投资的期望效益 ,说明了防灾投资效益与期望效益之差即为回避风险的选择价值。     

最大有用功率增益及最高振荡频率的探讨

本文通过对高频晶体管主要设计指标功率增益及最高振荡的分析，导出了随工作点变化的功率增益及最大有用功率增益；而基于最高振荡频率可分别得到最高应用频率及最高封装频率。     

晶体管发射区归一化面积的温度谱

从芯片表面的红外热像图中提取出了发射区热像图,提出了一种定量描述晶体管结温不均匀性的新方法,即发射区热谱分析方法。发射区热谱是发射区归一化面积的温度谱,也就是发射区温度所占有的发射区归一化面积对温度的直方图。本文提供了由红外热像图导出发射区热谱的过程及结果。     

双极晶体管结温分布不均匀性的电学测量方法

用Δ VBE法测得的结温是器件有源区某一点的温度 ,流经该点的测试电流密度等于流经整个芯片的平均测试电流密度。测量结温随测试电流变化而变化 ,小测试电流测得的结温高 ,大测试电流测得的结温低 ,测得的结温的变化范围小于芯片上实际的最低结温和最高结温之差。根据晶体管测量结温的这一性质可以半定量地判断晶体管结温分布的均匀性。