处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质

利用高铝管水平三温区炉研制半绝缘(SI)GaAs 晶体,由于采用了自制处理石英舟,因而获得了重复性、热稳定性较石英舟好的半绝缘晶体。处理舟晶体中的硅、氧、钾等杂质含量均较石英舟晶体低。与高压 LEC 热解氮化硼半绝缘晶体相比,其热稳定性是相近的。     

半绝缘砷化镓晶体的制备及性能

一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入工艺,衬底材料与器件的关系更为密切。实验证明,不论作为外延衬底还是离子注入衬底,材料的热稳定性和均匀性是影响FET器件的主要因素之一,特别是热稳定性的影响更大。为满足FET器件的要求,我们采用了控制掺杂剂,改变掺杂量以及避免晶体生长过程中的沾污,研制了热稳定性,均匀性较好的半绝缘晶体材料。