静态SAT问题并行处理器的设计研究

针对SAT问题的复杂性及求解速度缓慢的问题，采用可重构器件FPGA设计，实现了静态回溯搜索算法SAT问题并行处理器，提出了研制动态SAT并行处理器的设想。     

Holmium-doped Porous Silicon Prepared by a New Electrochemical Approach and Its Photoluminescence

Ｐｏｒｏｕｓｓｉｌｉｃｏｎ（ＰＳ）ｗａｓｆｏｕｎｄｔｏｅｍｉｔｖｉｓｉｂｌｅｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｂｙＣａｎｈａｍｉｎ１９９０［１］．Ｔｈｉｓｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎｉｍｐｌｉｅｄａｐｏｔｅｎｔｉａｌａｐｐｌｉｃａｔｉ...     

开关电源监控电路版图优化设计

通过完成电路中的各功能模拟和焊盘的合理旋转，对开关电源监控电路和的版图进行了优化设计，在放置器件对考虑可能出向的拴锁，匹配和寄生，使其之间的连线最短，交叉最少，并对芯片面积进行了估算。     

基于文本特征的文本水印算法

基于格式的文本水印算法对格式攻击的鲁棒性比较差,而基于自然语言的文本水印算法相对难以实现,因此提出一种基于词频的文本零水印算法。对文本内容进行分词并计算每个分词的词频,根据设定的词频阈值范围依次提取分词序列作为文本特征,将文本特征、水印和密钥注册于版权保护(IPR)信息库。水印检测可实现盲检测。将该算法用于含有图像等多媒体信息的中英文文档,试验结果证明,该算法对剪切、粘贴、内容顺序颠倒等攻击有较强的鲁棒性。     

光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

在制备多孔硅材料时 ,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关 .如果氢氟酸的浓度保持不变 ,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度 .但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度 ,特别是多层多孔硅 ,很难严格控制其厚度 .为此 ,通过对多孔硅中载流子运动的研究 ,结合 BET方程中的 SBET定义 ,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式 .通过该理论公式 ,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度 .该理论公式得到了实验的验证     

光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程

在制备多孔硅材料时,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关.如果氢氟酸的浓度保持不变,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度.但现在一般都通过测量设备来重复测量多孔硅的多孔度及厚度,特别是多层多孔硅,很难严格控制其厚度.为此,通过对多孔硅中载流子运动的研究,结合BET方程中的SBET定义,推导出多孔硅的多孔度、电解速度和电解电流强度之间的关系表达式.通过该理论公式,就可以保证精确得到多孔硅的多孔度及厚度.该理论公式得到了实验的验证.     

基于SMIC 0.13μm CIS工艺的单光子TOF传感器像素设计

设计了一种基于SMIC 0.13μm CIS工艺的单光子飞行时间(TOF)传感器像素结构。针对传统单光子雪崩二极管(SPAD)结构的不足,采用p阱和STI共同作为保护环,避免器件提前发生边缘击穿从而减小器件面积,增加深n阱使有源区耗尽层变窄,从而降低雪崩击穿电压,增加硅外延层将器件的光谱响应峰值转移到所需要的光波长,以此提高器件对指定波长光的吸收能力。通过浮动SPAD阳极电压的方式,采用低压CMOS晶体管实现主动式淬灭电路从而快速地控制雪崩电流淬灭,以达到缩短死区时间的目的。通过SILVACO TCAD和Cadence IC设计套件对工艺、像素器件结构以及相关电路进行仿真,验证了该设计的可行性。     

68HC908JB8单片机及其在 USB外设系统中的应用

主要参数及引脚功能 MC68HC908JB8是采用HCMOS工艺技术生产的高性能单片机芯片,具有片内256B RAM和8KB的FlashROM结构,16位双通道TIM模块(每一通道配有输入捕捉、输出比较和PWM工作模式),以及兼容USB1.1协议低速通信功能.     

集成过抽样∑-△A/D转换器设计研究

运用CMOS集成电路设计处理对象为语音信号的二阶∑-△A/D转换器.采用全差动设计、共模反馈电路和开关电容积分器实现二阶∑-△A/D转换器.     

基于SX52BD单片机的语音卡控制系统设计

通过简单介绍SX52BD单片机、PBL387、NW1034及RTL8019AS芯片的基本性能,系统地阐述了SX52BD单片机在电话应答中的控制作用,并实现了基于SX52BD单片机的语音卡控制部分的设计。