高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出16mW最大光功率.氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA,其最大饱和光功率为5.5mW.     

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器．研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0．82mW／mA和2．59mA，激光器在23mA时输出16mW最大光功率．氧化直径为5μm的激光器25℃时的最小阈值电流为570μA，其最大饱和光功率为5．5mW．     

保温对玻璃熔窑内传热与流动的影响

建立了浮法玻璃熔窑内传热与流动的三维数学模型,研究了不同保温情况对玻璃液流场、熔窑热平衡及玻璃熔化质量的影响.对熔化部保温可以起到改善玻璃熔化质量、节能降耗的作用.     

玻璃熔窑三维数字模拟的应用--投料池宽度变化对玻璃熔制质量的影响

利用建立的浮法玻璃熔制过程的数学模拟系统,研究了投料池宽度变化对玻璃液熔化质量的影响,通过改变投料池宽度得到不同的数据,分析发现了投料池内玻璃液对流情况、流场和温度场;宽度变化影响配合料的熔化,影响能耗。对等宽投料池作了仔细研究,发现等宽投料池并不是理想结构,比熔化池稍窄一点才是最理想的。     

高斜效率高功率850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器

报道了MOCVD生长的高性能85 0 nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器2 5℃时的斜效率和阈值电流分别为0 .82 m W/m A和2 .5 9m A,激光器在2 3m A时输出16 m W最大光功率.氧化直径为5μm的激光器2 5℃时的最小阈值电流为5 70μA,其最大饱和光功率为5 .5 m W.     

高性能低阈值高温无致冷

讨论了影响激光器高温特性的主要因素,提出了在1.3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器中采用倒台脊波导(RM-RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性,研制出了RM-RWG结构的1.3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器,其阈值电流为6mA,特征温度达到95K(25℃～85℃),这些结果为目前文献报道的最好水平.     

玻璃熔窑内传热与流动的计算机模拟研究

研究了浮法玻璃熔窑内传热与流动以及投料池宽度变化对熔窑内流场、温度场和玻璃熔制质量的影响,采用了SIMPLEC算法计算了温度和速度场,计算了不同投料池宽度下的熔制因子分布和滞留时间微分分布。研究得出,熔窑纵向存在三个主要回流;投料池宽度变化对玻璃液流动变化影响较大,其宽度在一定程度上增大有利于节能,并且能提高玻璃液熔化质量,但当投料池与熔化部池宽相等时,能耗升高,熔制质量反而降低。     

芒硝及玻璃REDOX对玻璃液澄清效果的影响

分别研究了不同的芒硝及其碳粉含率对玻璃液澄清效果的影响,并从氧化还原数(REDOX)这一量化的角度考虑熔制气氛对玻璃澄清效果的影响.结果表明:当配合料中芒硝含率为5%.碳粉含率为3%.玻璃REDOX数约为15时,玻璃液澄清效果最好.     

850 nm氧化限制型VCSEL研究

通过对850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构的研究,研制出了满足实用要求的高性能的850nm氧化限制型VCSEL.激光器12μm和16μm氧化孔径25℃的阈值电流分别为1.2mA和1.8mA,斜效率为0.58mW/mA,微分串联电阻为35Ω和25Ω,激光器具有良好的温度特性和可靠性,可应用于1.25Gbit/s数据通信.     

浮法玻璃熔窑三维数学模拟研究

采用SIMPLEC算法求解了玻璃熔窑三维数学模型的温度场和速度场,计算了不同卡脖宽度时的熔制因子分布和滞留时间微分分布曲线.研究表明:在熔窑纵向存在3个主要回流卡脖宽度变化对玻璃液流动产生影响,减小卡脖宽度有利于节能,但卡脖宽度过小会使玻璃熔制质量降低,当窑宽为10.5m时,卡脖宽度在4.8m左右时较适合.