氧气-乙炔火焰法在Al2O3陶瓷上沉积金刚石薄膜

用氧气－乙炔火焰法在氧化铝陶瓷片上沉积出了金刚石薄膜，并观察了薄膜的形貌结构及其在基片上的分布规律。对基片进行了适当的预处理，可以提高金刚石薄膜在基片上的成核密度。认为氧化铝陶瓷片与沉积金刚石薄膜之间易形成过渡层，初步探讨了在氧化铝陶瓷片上沉积金刚石薄膜的机理。     

掺氮类金刚石薄膜的微观结构和电导特性

用射频等离子体化学气相沉积法（RFCVD）和CH4、N2与Ar组成的混合气体制备掺氮类金刚石薄膜（a-C:H:N)。用原子力显微镜（AFM）,俄歇电子能谱（AES）,红外光谱（IR）以及显微拉曼谱（Micro-Raman)对a-C:H:N薄膜的表面形貌、组分和微观结构进行了表征。实验结果表明,薄膜中有纳米量级的颗粒存在,而且随反应气体中N2与CH4比值的增大,薄膜中氮元素的含量也随之增大,并主要以C-N键和N-H键形式存在,少量以C≡N键形式存在,还研究了热退火对a-C:H:N薄膜的电导率的影响。     

富勒烯(C_(60))与类金刚石碳复合膜的Debye模型的模拟计算(英文)

由 C_(60)和类金刚石碳膜（ DLC）组成的多层复合膜可在 Si、 玻璃和其它衬底上通过真空升华 沉积和随后以 CH4和 H2作为反应剂用射频化学气相沉积（ RFCVD） 的方法制备。这种膜的若干 特征可由拉曼谱（ Raman）表征。复合膜电阻与介电常数由低频（ LF）阻抗分析仪进行研究从而得 到膜电阻、介电常数和频率间的关系。这些结果表明：在各种频率下的此类复合膜的电阻与纯 C_(60) 膜基本一致,但是纯 C_(60)膜随频率变化的电容率与复合膜明显不同。这些现象与结果可通过电 介质的德拜模型和介质松弛理论进行分析与讨论。根据相应的 Debye模型方程式,实验测得的 介电常数和频率间的关系经计算机拟合,得到了复合膜的松弛时间,介电常数等。拟合结果基本 上与实验数据一致。     

偏压对金刚石薄膜选择性成核和生长影响的研究

利用偏压增强MPCVD法成功地实现了金刚石薄膜在附有SiO2掩膜图形的镜面抛光的Si(100)上的选择性织构生长,列举了最佳偏压成核与选择性生长条件,SEM和Raman光谱对所得样品进行了表征,并对偏压对选择性成核和生长的影响机制进行了探讨.     

碲镉汞衬底上沉积类金刚石薄膜的界面分析

采用等离子增强化学气相法 (PECVD)在碲镉汞 (MCT)衬底上沉积纳米颗粒的类金刚石薄膜 (DLC) ,对DLC MCT界面进行了俄歇电子能谱 (AES)分析 ,并与离子溅射法 (IS)沉积的ZnS MCT界面比较 ,结果表明DLC和ZnS薄膜都能较好地抑制MCT中HgTe的分解 ,在一定程度上阻挡了MCT中Hg的外扩散 .相对于ZnS中的S而言 ,DLC的C在MCT中的内扩散深度较小 (前者为 4 0 0 ,而后者仅为 2 0 0 ) .红外透射光谱结果表明DLC膜比ZnS膜具有更好的抗反射效果     

金刚石膜在多孔硅发光中的应用

采用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）法成功地在多孔硅上沉积出均匀、致密的金刚石膜。光致发光测量表明,金刚石膜可以有效稳定多孔硅的发光波长和发光强度,具有明显的钝化效应。金刚石膜的这个特点再加上高硬度特性使金刚石膜成为多孔硅的一种潜在的钝化膜。     

富勒烯（C60）与类金刚石碳复合膜的Debye模型的模拟计算

由C60和类金刚石碳膜（DLC）组成的多层复合膜可在Si、玻璃和其它衬底上通过真空升华沉积和随后以CH4和H2作为反应剂用射频化学气相沉积（RFCVD）的方法制备,这种膜的若干特征可由拉曼谱（Raman)表征。复合膜电阻与介电常数由低频（LF）阻抗分析仪进行研究从而得到膜电阻、介电常数和频率间的关系。这些结果表明：在各种频率下的此类复合膜的电阻怀纯C60膜基本一致。但是纯C60膜随频率变化的电容率与复合膜明显不同,这些现象与结果可通过电介质的德拜模型和介质松弛理论进行分析与讨论。根据相应的Debye模型方程式,实验测得的介电常数和频率间的关系经计算机拟合,得到了复合膜的松弛时间,介电常数等。拟合结果基本上与实验数据一致。     

金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核

在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在.     

[001]织构和非织构CVD金刚石膜的电学特性

研究了「００１」织构和非织构金刚石膜的暗电流－电压特性、电流－温度特性以及在稳定Ｘ射线辐照下的响应。结果表明「００１」织构的金刚石膜相对非织构多晶金刚石膜具有大的暗电流和Ｘ射线响应。主要由于非织构金刚石膜含有大量的晶粒间界,导致对载流子的传输产生强烈散射。在高于５００Ｋ的温度区域内,随着温度的上升「００１」织构和非强构的金刚石膜的电流都将以指数式上升,这与Ｓｉ占据金刚石格点产生１．６８ｅＶ的激活能有关。