86.5GHz下输出功率257mW的 W波段GaN MMIC放大器

我们报道了一个三级W波段GaN MMIC功率放大器。考虑到W波段MMIC的耦合效应,所有的匹配电路和偏置电路都是先进行电路仿真以后,再用3D电磁场仿真软件进行系统的仿真。此MMIC功率放大器在频率为86.5GHz下输出功率能达到257mW,相应的功率附加效率(PAE)为5.4%,相应的功率增益为6.1dB。功率密度为459 mW/mm。另外,此MMIC功率放大器在83 GHz到90 GHz带宽下有100mW以上的输出功率。以上特性都是在漏极电压为12V时测试得到。     

基于再生长欧姆接触工艺的220 GHz InAlN/GaN 场效应晶体管

本文在蓝宝石衬底上研制了具有高电流增益截止频率(f_T)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)。基于MOCVD外延n -GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小,有效源漏间距(L_sd)缩小至600 nm。此外,采用自对准工艺制备了50 nm直栅。由于器件尺寸的缩小,V_gs= 1 V下器件最大饱和电流(I_ds)达到2.11 A/mm,峰值跨导达到609 mS/mm。小信号测试表明,器件f_T达到220 GHz、最大振荡频率(f_max)达到48 GHz。据我们所知,该f_T值是目前国内InAlN/GaN HFETs器件报道的最高结果。     

变电站直流系统的运行维护对策研究

变电站的维护一直是历久弥新的话题。其中对直流系统的运行维护是必谈的问题。分析了直流系统普遍存在的问题,简要总结了现阶段对直流系统进行维护的可行方法,对变电站工作人员具有较为广泛的借鉴性。     

基于Al_2O_3介质的Ga_2O_3 MOSFET器件制备研究

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga_2O_3同质衬底上外延得到n型β-Ga_2O_3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga_2O_3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层。对掺杂浓度为3.0×10~(17)和1.0×10~(18) cm~(–3)的样品进行了高温合金欧姆接触实验,在掺杂浓度为3.0×10~(17) cm~(–3)的样品上难以实现良好的欧姆接触,掺杂浓度为1.0×10~(18) cm~(–3)的样品实现了欧姆接触最低值(9.8W×mm)。基于掺杂浓度为1.0×10~(18) cm~(–3)的n型β-Ga_2O_3薄膜材料,采用原子层沉积的Al_2O_3作为栅下绝缘介质层,研制出Ga_2O_3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。栅压为2 V时,器件漏源饱和电流达到108 mA/mm,器件峰值跨导达到17 mS/mm。由于栅漏电特性较差,器件的三端击穿电压仅为23 V@V_(gs)=–12 V。采用高介电常数的HfO_2或者Al_2O_3/HfO_2复合结构作为栅下介质能够改善栅漏电特性,提升器件的击穿性能。     

东华水泥5 000 t/d熟料一线的建设特点

1前言 淄博矿业集团有限责任公司是全国520家重点企业和山东省136家重点企业集团之一．是一个以煤为主、多种经营和综合发展的大型现代化企业集团。东华水泥5000t／d新型干法水泥生产线是淄博矿业集团投资建设的“煤、电、材”产业链的建材板块龙头项目，是山东省的重点项目。     

海泡石摩擦材料研制

采用经过表面改性处理的硅灰石和海泡石混杂代替石棉作为增强材料制备汽车刹车片，对所得制品进行抗冲击强度测试，定速摩擦试验，CHASE试验及台架试验，表明所制备的汽车刹车片的各项性能接近石棉刹车片的性能。     

有机硅产业市场现状及发展趋势

2008年中国有机硅行业共实现销售收入210.23亿元,同期增长39.48%,2009年国内表观消费量约为96万t,进口32万t,进口依赖率约33%。     

氟处理增强型InAlN/GaN HEMT直流和射频特性分析

报道了使用氟处理的方法制备的InAlN/GaN 增强型器件。 器件的阈值电压为0.86V。 在VGS=0 V ,VDS=5 V下得到器件跨导为0mS, 表现出了完全的关态特性。氟处理之后器件的栅漏电得到了降低。0.3μm栅长器件的电流截至频率（fT）与最大振荡频率(fMAX)分别为29.4GHz和36.7GHz。建立了器件的小信号模型用来描述器件本征与寄生参量。     

DC and RF characteristics of enhancement-mode InAIN/GaN HEMT with fluorine treatment

We report an enhancement-mode InA1N/GaN HEMT using a fluorine plasma treatment. The threshold voltage was measured to be ＋0.86 V by linear extrapolation from the transfer characteristics. The transconductance is 0 mS/mm at Vc, s = 0 V and VDS = 5 V, which shows a truly normal-offstate. The gate leakage current density of the enhancement-mode device shows two orders of magnitude lower than that of the depletion-mode device. The transfer characteristics of the E-mode InA1N/GaN HEMT at room temperature and high temperature are reported. The current gain cut-off frequency （fT） and the maximum oscillation frequency （fmax） of the enhancement-mode device with a gate length of 0.3 #m were 29.4 GHz and 37.6 GHz respectively, which is comparable with the depletion-mode device. A classical 16 elements small-signal model was deduced to describe the parasitic and the intrinsic parameters of the device.