高温SO I CMO S 倒相器瞬态特性的研究

本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在（27－300℃）宽温区的瞬态特性。研究结果表明：当采用N^ PN^ 和P^＋PP^ 结构薄膜SOI MOSFET组合，并且其结构参数满足高温应用的要求，则SOI CMOS倒相器实验样品在（27－300℃）具有良好的高温瞬态特性。     

漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT的研究（Ⅰ）——低压截止动态泄漏电流的温度特性

提出了一种新结构薄膜SOI LIGBT－漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT（DRTMC TFSOI LIGB）。主要研究了其低压态泄漏电流在423－573K范围的 温度特性。指出,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的的截止态高温泄漏电流,很高的截止态击穿电压,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出,它不仅适用于高温低压应用,而且适用于高温高压应用。     

PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型

报道了一个部分耗尽(PD)SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型.该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构,即由顶部的NMOSFET和底部的寄生BJT构成这一特点出发,以一定温度下PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏-体结电流的动态平衡为核心,采用解析迭代方法求解,得出漏-体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体-射结电压,及漏-体结和体-射结电流的各主要分量,进而得到了PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较,二者吻合得很好.     

宽温区MOSFET反型层载流子迁移率的模型和测定方法

首先介绍了宽温区 (2 7～ 30 0°C) MOSFET的阈值电压、泄漏电流和漏源电流的特点以及载流子迁移率的高温模型 ;进而给出了室温下 MOSFET反型层载流子迁移率的测定方法 ,最后提出了利用线性区 I- V特性方程测定宽温区 MOSFET反型层载流子迁移率的方法 ,并给出了测试结果     

漂移区减薄的多沟道薄膜 SOI LIGBT的研究（Ⅰ）

提出了一种新结构薄膜SOILIGBT——漂移区减薄的多沟道薄膜SOILIGBT(DRT-MCTFSOILIGB）。主要研究了其低压截止态泄漏电流在423～573K范围的温度特性。指出,通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的截止态高温泄漏电流,很高的截止态击穿电压,足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出,它不仅适用于高温低压应用,而且适用于高温高压应用。     

高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究

在讨论薄膜 SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上 ,以高温应用为目标 ,对适用于高温 SOICMOS倒相器的三种 MOSFET组合结构进行了比较分析 ,最终确定了高温 SOICMOS倒相器的 MOSFET组合结构的选取原则。     

TF SOI PMOSFET的导电机理及漏电流的二维解析模型

从薄膜积累型 (TF AM) SOIPMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加正栅压和漏压的变化出发 ,对其在 -5 .0 V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的理论分析 ,推导出了各种正栅压和漏压偏置条件下漏电流的二维解析模型 ,为高温 TF AM SOIPMOSFET和 CMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础 ,也为设计高温 SOI PMOSFET和 CMOS数字电路提供了一定的理论依据。     

薄膜全耗尽积累型SOI MOS 器件在( 27～300℃) 宽温区高温特性的研究

本文在对p^ pp^ 结构薄膜全耗尽积累型SOA MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上，进一步研究了实验样品在（27－300℃）宽温区高温特性，理论和实验研究结果表明p^ pp^ 结构薄膜全耗尽积累型SOI MOS器件实验样品在（27－300℃）宽温区具有良好的高温特性。     

硅体费米势在( 300～600 K) 宽温区温度特性的研究

本文首先简要分析了MOSFET阈值电压随温度的变化率,讨论了影响阈值电压温度特性的主要因素－－体费米势的温度特性,最后给出了一种比较精确的线性拟合模型,并进行了模拟验证。     

PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型

报道了一个部分耗尽 (PD) SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型 .该模型从 PD SOI NMOSFET器件的物理结构 ,即由顶部的 NMOSFET和底部的寄生 BJT构成这一特点出发 ,以一定温度下 PD SOI NMOSFET体-射结电流与漏 -体结电流的动态平衡为核心 ,采用解析迭代方法求解 ,得出漏 -体结碰撞电离产生的空穴在体区中近源端积累达到饱和时的体 -射结电压 ,及漏 -体结和体 -射结电流的各主要分量 ,进而得到了 PD SOI NMOSFET翘曲效应漏电流的温度解析模型 ,并将一定条件下的模拟结果与实验结果进行了比较 ,二者吻合得很好