4-Mask工艺Cu腐蚀分析及改善研究

针对4-Mask工艺铜数据线腐蚀造成的锯齿状不良现象进行系统研究,发现铜腐蚀发生的工艺步骤和机理,并找到有效的措施。首先,通过显微镜对每道刻蚀工艺后铜数据线形貌进行观测,确定铜腐蚀发生的工艺步骤。接着,通过扫描电子显微镜和X射线电子能谱测量腐蚀生产物成分,对腐蚀机理提出合理解释。最后在铜腐蚀发生机理基础上,提出有效的改善措施。铜腐蚀是在有源半导体层干刻和光刻胶的灰化综合作用下发生,其主要产物为氧化铜、氯化铜。通过先进行灰化工艺然后进行有源半导体层干刻的工艺措施,在铜数据线两侧形成氧化铜保护膜,可以彻底改善铜腐蚀。改善措施可以解决铜腐蚀的问题,彻底消除铜数据线锯齿状不良。     

高强超韧PVC合金的制备及结构与性能的研究

采用先将纳米CaCO3与CPE等制成母粒,再将母粒与PVC及助剂进行共混的工艺,制备了高强超韧的PVC合金.通过相态观察和力学性能测试,结果表明：纳米CaCO3和CPE是以软壳-硬核的结构分散在PVC基体中,使用较少量的CPE即可达到显著的增韧效果,说明纳米CaCO3和CPE对PVC起到了协同增韧的作用,同时纳米CaCO3的加入还具有补强作用.     

液晶显示器侧视角发红机理分析及改善

针对于液晶显示器出现的侧视角发红不良,本文从定性及定量角度进行机理分析。初步实验定性确定影响侧视角发红的主要因素为材料R_(th)和颜料颗粒分布。定量分析方面,通过对R_(th)、膜层厚度、上偏振片偏振方向与主观察方向的夹角(A-UPMO)、透过光主波长4个方面的分析,得到侧视角不良程度的理论计算公式。根据上述结论,通过减小R_(th),减薄膜层厚度以及缩小A-UPMO可以有效改善不良程度。给出通常情况下,新材料开发过程中Red/Green/Blue R_(th)的阈值分别为6.0nm/5.4nm/4.0nm,为未来新材料开发及不良改善提供有益的参考。     

小尺寸TFT-LCD GOA显示屏不良横纹的研究

随着GOA(Gate On Array)技术的不断发展,在小尺寸TFT-LCD窄边框显示屏上的应用也越来越频繁,但是由于GOA电路的复杂性和TFT器件自身的稳定性,以及外界温度、湿度的影响,显示屏还存在显示不稳定的问题。本文针对小尺寸TFT-LCD GOA显示屏在高温高湿环境下产生的异常显示横纹,进行了深入分析与改善研究。通过对GOA区域ITO过孔电阻测试、显微镜检查以及修复实验验证,找出了不良产生的直接原因为ITO发生腐蚀,过孔电阻增大,导致GOA驱动信号无法上下导通。接着进一步研究ITO腐蚀发生的条件、ITO腐蚀情况、驱动信号对应关系以及腐蚀成分,证明了ITO发生腐蚀原因为产品长期工作(200h左右)在高温高湿环境下,由于水汽的不断渗入,使GOA区域ITO发生了电化学腐蚀效应。最后根据电化学腐蚀原理,通过采用隔水性强的封框胶、增加ITO膜厚以及降低ITO电位差等措施对工艺进行了改善,结果表明改善后的显示屏超过1 000h,未发生ITO腐蚀。     

氮化硅的ECCP刻蚀特性研究

本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究,为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考。针对SF_6+O_2气体体系,通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响,并对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:功率越大,刻蚀速率越大,与源极射频电力相比,偏置射频电力对刻蚀速率的影响更为显著;压强增大,刻蚀速率增大,但压强增大到一定程度后,刻蚀速率基本不变,刻蚀均匀性随着压强增大而变差;在保证SF_6/O_2总流量保持不变下,O_2的比例增大,刻蚀速率先增大后减小,刻蚀均匀性逐步变好;He的添加可以改善刻蚀均匀性,但He的添加量过多时,会造成刻蚀速率降低。     

柔性显示器件用聚酰亚胺基板的研究与应用进展

柔性基板对于柔性显示器件的发展具有重要的支撑作用。综述了国内外近年来在柔性显示器件用聚酰亚胺基板领域内的研究与产业化发展现状。从柔性显示器件对基板材料的性能要求、聚酰亚胺基板的分类与应用以及聚酰亚胺柔性基板未来发展趋势等方面进行了论述。着重介绍了日本、美国、韩国以及中国台湾地区在聚酰亚胺柔性基板领域的产业化发展情况,并对发展我国的聚酰亚胺柔性基板产业提出了建议。     

配向膜对LCD对比度的影响

目前,LCD行业已经趋于成熟。各大面板企业都在提升自身产品的竞争力:高分辨率、高色域、轻质化、窄边框化以及高对比度等等。本文从聚酰亚胺取向层材料方面着手提高对比度进行了研究与阐述。研究过程中利用实验室与产线进行了实际测试,通过对比不同性质的取向膜材料所制作的平面电场宽视角(ADS)模式液晶面板,证明了配向能力越高的取向材料得到的面板对比度越高。高配向力的取向层可以使液晶分子的排列更加有序化,在常暗模式的FFS显示器中,初始位置的液晶分子预倾角越低,液晶面板的暗态越好,在亮态相同的情况下,对比度将会提高。     

RGBW彩色滤光片技术开发与应用

为了扩大公司产品布局,尽快将RGBW产品推入市场,本文对该类产品关键的RGBW彩色滤光片(Color filter,CF)技术进行开发,并结合公司产线特点,对RGBW CF技术应用能力提升进行研究。首先通过产线测试,从高平坦保护膜(Over coating,OC)材料特性、OC厚度设计、OC工艺条件等角度出发,对该技术的关键特征参数RGB-W段差进行优化,建立像素尺寸、OC厚度与段差关系的数据模型,并进行产品验证。接着,建立段差与液晶盒厚、色温、透过率的关系,对OC Mura的影响因素进行分析及优化,降低新技术应用可能造成的产品品质风险。最后,针对产线特点造成的OC异物高发问题,通过异物检查机、SEM、显微镜等分析设备对异物发生率及发生原理进行分析,从材料、工艺参数、设备参数及设备状态等角度制定改善对策,提升产品良率。最终实现RGB-W段差0.6μm以下,CF良率99.5%以上。该技术满足产品品质及量产稳定性要求。     

网状斑点不良分析研究

针对网状斑点(Emboss Mura)不良现象进行系统研究,确定不良发生的机理,并找到有效的改善措施。首先通过半导体参数测试设备和改变电压、频率等方法测试Mura电学特性,然后采用扫描电子显微镜、椭偏仪对栅极绝缘层进行测量,最后采用扫描电子显微镜、X射线电子能谱对玻璃基板背面Mura形貌和成分进行测试,对Mura产生的原因提出合理的解释,并给出有效的改善措施。结果表明,Emboss Mura是干刻反应腔下部电极的阵列凸起划伤玻璃基板背面和凸起碎屑粘附在划伤处形成的。通过更改电极凸起的形状、结构、材质以及下部电极清洁方式、优化电极温度、增加PI膜厚等方式可以极大降低不良的发生率。     

印刷型设备产生配向膜Mura研究

薄膜晶体管行液晶显示(TFT-LCD)面板制造行业中,取向膜涂布方式主要有2种:一种为传统印刷方式辊式涂布法,另一种为新型印刷方式喷墨印刷法。本文通过对这2种印刷方式的比较,着重介绍了新型喷墨印刷法容易产生的三大主要不良(直线形不良、印刷头宽线形不良以及云状灰度不良)及产生原因。在对三大不良产生的原因进行详细的实验测试、数据分析和理论研究工作下,通过工艺调整并结合设备科学管控,最终使不良发生率大幅下降,极大地提高了产品的品质,并为今后新产品的开发及相关理论的研究提供了很好的基础。