低功率刻蚀工艺均匀度研究

在二氧化硅刻蚀工艺中,有时为了控制氧化膜的损伤,需要采用低功率刻蚀工艺。文中研究了在低射频功率条件下,通过改变磁场强度、暖机条件及反应气体的组成,对刻蚀均匀度的影响。实验结果表明,在低功率条件下,改变磁场强度和暖机条件对刻蚀均匀度的改变有限,但当向主刻蚀气体中加入氧气后,能较大程度地改变刻蚀均匀度。     

蚀刻腔条件对刻蚀工艺的影响研究

在ULSI制造中蚀刻腔条件的变化是导致刻蚀工艺重复性差的一个重要原因.在刻蚀过程中,一层聚合物会淀积在蚀刻腔壁上.通过XPS分析得知,聚合物的主要成分为(CF2)n.实验过程发现不同的聚合物量会影响等离子体中CF2基团的浓度.聚合物越多,CF2浓度越高;反之,聚合物越少,CF2 浓度就越低.在这种情况下,蚀刻腔上的聚合物被认为是等离子中CF2基团的一个源.CF2浓度的变化又导致最终刻蚀特性(CD,蚀刻率)的变化和工艺漂移.