某高校老校区门柱搬迁设计与施工

本文介绍了在某高校大门柱的搬迁工程中，运用托换技术分三步将型钢植入门柱基础部位砖混结构中，成功地将原结构基础部位一定高度内的砖砌体置换出来，改变了结构传力路径，实现了本构筑物在根部的分离，并通过在门柱外部焊接钢结构框架，设置吊装点，满足吊装要求，最终顺利地实现了搬迁。     

氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术

通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60.     

前言

<正>随着光子技术在光纤通信、微波光子学、激光雷达、量子信息处理等领域的广泛应用,光子和光电子集成的重要性日益突显,成为解决相关应用面临的体积、功耗和成本瓶颈的关键。实际上,早在20世纪60年代就提出了集成光学的概念。受到集成电路(IC)技术的启发,提出了光子集成回路(PIC)和光电集成电路(OEIC)的概念,期望通过集成技术来增强光电子器件的性能,减小体积和功耗,并提高可靠性。然而,相比于集成电路芯片的迅猛发展,光子和光电子集成由于面临材料和工艺等一系列挑战,直到近十余年才实现突破。目前,大规模光子集成技术正在逐渐走向实用化。     

新型大跨索结构避难帐篷现场试验与数值模拟

基于现场试验,对实测风荷载作用下大跨度索结构避难帐篷的顶点位移进行测量,分析风速对顶点位移的影响,得出了实测风荷载与结构顶点位移之间的关系。应用ABAQUS有限元软件对风荷载作用下的大跨度索结构避难帐篷的顶点位移进行有限元计算,有限元计算结果与试验结果具有较好的一致性。通过降低脚手架材料的刚度,模拟不同刚度条件下结构的风载-位移响应;并模拟了雪荷载以及温度荷载作用下大跨度索结构避难帐篷的受力性能。研究结果表明:大跨度索结构避难帐篷的抗风、抗雪荷载性能以及温度荷载作用下的变形幅度均能达到安全使用要求。     

应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究

针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6Ω.cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.     

电点火具试验方法与装置的改进

为查找某电点火具输出试验失败原因，从产品性能、下级火工品性能及试验方法、试验装置等方面进行了分析。结果表明输出试验装置与实际弹上装置不一致，试验装置设计不合理，造成输出能量损失。经设计更改后未再出现类似问题。     

聚丙烯砂浆受硝酸盐腐蚀相关测强曲线研究

通过实验室干湿加速试验,用超声波法、回弹法、超声-回弹综合法对受硝酸盐腐蚀的聚丙烯砂浆进行强度检测并研究其作用基理。硝酸盐腐蚀对聚丙烯砂浆表面有一定影响,同时使试块整体强度下降。结果表明,腐蚀后的抗压强度与回弹值、超声波波速有较好的拟合关系。     

超早强灌缝料试验研究

选用42.5级普通硅酸盐水泥、高铝水泥和石膏多元复合体系辅以多种外加剂研制出高性能超早强灌缝材料(TUSPM),系统地进行了不同胶砂比和膨胀剂掺量的研究,并对胶砂比1.5的微观结构进行分析。结果表明:该体系辅以多种外加剂可以配制出初始流动度达325mm,30min流动度280mm,终凝时间(50±5)min,1d抗折强度达13.58MPa,1d抗压强度达39.3MPa,7d抗折强度达17.92MPa,7d抗压强度达71.8MPa,28d抗折强度强度19MPa,28d抗压强度99MPa,该体系微观结构紧凑致密,膨胀性能满足要求。     

电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究

深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响。首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性，发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件，得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形。利用这一掩膜制作技术，获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面，选择比达15：1。     

多波长集成光源阵列封装用微波馈线设计

针对多波长集成光源阵列封装设计了一种具有低传输损耗、低串扰的阵列微波馈线。通过分析微带线和接地共面波导在传输高频微波信号时的优缺点,设计了一种桥型微波馈线结构。同时利用有限元法,对馈线尺寸参数进行仿真优化。在30GHz范围内,得到了反射系数低于-17dB、传输损耗小于0.4dB、相邻信号电极间串扰小于-26dB的仿真结果。设计了基于金线键合的阵列芯片方案,并通过有限元法仿真确定了传输性能良好的封装间距。