三电极法电阻率二维分布测量技术及其应用

本文介绍了三电极保护法半绝缘砷化镓材料电阻率二维分布自动测量系统,在实际应用中,温度波动、异常数据对测量结果产生严重影响,为此我们提出了一些措施。文中给出了一些样品测量结果的统计数据(相对标准偏差,平均值)和等值图,并对这些结果进行讨论。     

砷化镓材料载流子浓度PCIV测试系统

本文介绍了用PCIV技术进行GaAs材料载流子浓度测量的方法及我们研制的PCIV测试系统。该系统由探针台、测量单元和计算机系统组成;计算机通过接口与探针台和测试单元相连,形成了全自动化二维I-V特性测试系统。利用系统控制及数据处理软件可以方便地设定测量参数,对测量结果作二维位图或三维面图显示及统计计算。文中给出了部分离子注入GaAs晶片载流子浓度分布的测量结果。     

确定n-Si补偿度的简捷方法

<正> 在确定 n-Si补偿度时通常采用变温的霍尔测量进行霍尔分析或迁移率分析方法,前者必须具备比液氮温度低很多的温度条件,费时而冗长.迁移率分析则根据n-Si的能带结构和散射机构,由液氮温度下的迁移率值和室温下测量载流子浓度得出补偿度.虽然迁移率分析方法较霍尔分析已经大大简化,但仍然要变换样品温度;况且对在室温下呈高阻的样品,测量也比较困难.我们根据电中性方程和Si中电子散射机构提出了只根据液氮温度下霍尔测量数据确定补偿度的方法.     

剥离霍尔技术分析与实用中的问题

根据剥离霍尔技术的物理基础，分析了范德堡测试结构中薄膜材料在逐层测量时F因子发生变化的可能原因，主要归因于被测样品存在导电层厚度和电阻率不均匀性所致。而实验表明，采用阳极氧化技术控制膜厚的不均匀性可小于10％，因此导致F因子变化的主因是ρ（x，y）和θH（x，y）的存在。实验分析了F因子随深度的改变对纵向分布测量结果的影响，指出，当F因子随深度改变时，分析结果应该镇用；在作剥离霍尔测量时加测F因子是必要的，以作为利用分析结果的参考。     

三电极法电阻率二维分布测量技术及其应用

本文介绍了三电极保护法半绝缘砷化镓材料电阻率二维分布自动测量系统，在实际应用中，温度波动、异常数据对测量结果产生了严重影响，为此我们提出了一些措施，文中给 些样品测量结果的统计数据和等值图。并对这些结果进行讨论。     

三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型

本文分析了三探针测试硅外延片中雪崩击穿时耗尽层宽度的面接触模型,理论和实验结果吻合。