国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应

运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Lsc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Lsc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Lsc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池.     

量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应

用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应,分析了1×109～2×1013cm-2,2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池.结果表明,随辐照注量增大,电池Jsc,Voc,Pmax衰降程度增加;相同的注量,Pmax衰降程度最大.当注量大于3×1012cm-2时,Isc衰降程度比Voc的大;当注量小于3×1012cm-2时,Voc衰降程度比Isc的大;在900～1000nm波长范围内,2×1013cm-2辐照使量子阱光谱响应特性消失.这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec-0.35eV的深能级有关.     

GaAs太阳电池引入量子阱结构后抗辐射性能的变化

利用2×1.7 MV串列静电加速器提供的质子束模拟空间环境辐射,对引入量子阱GaAs太阳电池和无量子阱GaAs太阳电池进行2MeV质子注量为1×109-2×1013cm-2的辐照,通过电池Ⅰ-Ⅴ特性和光谱响应测试,研究分析了它们的辐射效应.结果表明这两种电池的Isc、Voc和Pmax的衰降幅度均随辐照注量增加而增大;而相同注量的辐照,引入量子阱GaAs太阳电池电性能衰降幅度要比无量子阱GaAs太阳电池的大.经2×1013cm-2质子辐照后,引入量子阱GaAs太阳电池光谱响应在400-1000nm整个波段有明显衰降,且长波区(900-1000 nm)的量子阱特性消失.量子阱结构的引入使GaAs太阳电池的抗辐射性能下降.     

0.70～2.48MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量

应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°（实验室坐标系）背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据,为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。     

量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应

用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1e9～2e13cm－2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照注量增大，电池Isc，Voc，Pmax衰降程度增加；相同的注量，Pmax衰降程度最大．当注量大于3e12cm－2时，Isc衰降程度比Voc的大；当注量小于3e12cm－2时，Voc衰降程度比Isc的大；在900～1000nm波长范围内，2e13cm－2辐照使量子阱光谱响应特性消失．这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec－0.35eV的深能级有关．     

0.70～2.48 MeV质子在F和Mg上160°背散射截面测量

应用北京师范大学2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.70～2.48MeV宽能区质子在轻核F和Mg上160°（实验室坐标系）背散射截面。测量得到F、Mg各自对应能区的质子共振背散射截面数据,为含F、Mg轻元素的新型薄膜材料的高灵敏分析提供了实验数据。     

国产高效GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的低能质子辐射效应

运用2×1.7MV串列静电加速器提供的质子束,对MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge三结电池进行低能质子辐射效应研究.选质子能量为0.28,0.62和2.80MeV,辐照注量为1×1010,1×1011,1×1012和1×1013cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.研究结果表明:随辐照注量的增加,太阳电池性能参数Lsc,Voc和Pmax的衰降幅度均增大;但随质子辐照能量的增加,Lsc,Voc和Pmax的衰降幅度均减小.实验中0.28MeV质子辐照引起电池Lsc,Voc,Pmax衰降最显著,三结电池中光谱响应衰降最明显的是中间GaAs电池.     

苏北沿运河旅游轴合作发展策略

沿古运河旅游轴建设已成为推动苏北区域旅游经济创新发展的主导战略。文章总结了区域旅游合作研究理论概要,提出基于区域旅游发展阶段性的区域旅游的四种合作模式,结合沿运河旅游资源的空间组合提出了推进苏北沿运河旅游轴合作发展的六大策略:构建"三位一体"的合作主体;建立制度化的区域合作协调机构;形成以市场为主导、政府推动的合作机制;建设大运河旅游信息平台和游客信息中心;拓宽沿运河旅游轴的合作领域,延伸旅游产业链条;优化运河旅游轴线空间组织,互动轴带内和轴带间。     

0.28-2.80 MeV质子辐射对空间实用GaInP/GaAs/Ge多结太阳电池性能的影响

用0.28、0.62和2.80 MeV质子束模拟空间辐射对国产MOCVD方法制备的GaInP/GaAs/Ge多结电池进行质子辐射效应研究.辐照注量为1×1012 cm-2.对电池的辐射效应用I-V特性和光谱响应测试进行分析.结果表明:随质子辐照能量的增加,太阳电池性能参数Isc,Voc,Pmax和光谱响应的衰降幅度均减小,0.28MeV质子辐照引起电池性能衰降最显著;低能质子辐照引起中间GaAs电池光谱响应衰降更明显.     

LM118J-8和OP07运算放大器电路抗γ辐射实时模拟研究

利用60Coγ射线模拟空间环境辐射,对卫星电源控制器中LM118J-8和OP07两种运算放大器电路进行剂量率为0.06和0.22 Gy(Si)/s,总剂量为3000 Gy(Si)辐射的实时在线研究.结果表明:随辐射剂量增加,OP07电路的输出电压在低剂量100 Gy(Si)时就有明显变化,而LM118J-8电路的输出电压在辐射剂量高于900 Gy(Si)时出现明显变化.LM118J-8运算放大器的抗辐射性能优于OP07放大器.引起LM118J-8、OP07性能退化、功能失效的主要原因是辐射感生了界面态.