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介绍了表面等离子激元方面的基本内容和研究工作,并通过表面等离激元与光的转换特性提出了硅基隧道结+透镜的光增强系统,该系统可生成红、绿、青三色拼成的色元。 相似文献
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结合Al/Al2 O3 /Au结构MIM(metal/insulator/metal)隧道结I U特性、深度Auger谱及结发光后结面透明度的测试与观察 ,对其发光衰减机制进行了研究。结果表明 ,由于MIM结工作时 ,通过隧道电流等产生的大量焦耳热引起底电极Al膜不断氧化 ,中间栅Al2 O3 的厚度不断增加 ,从而使得隧穿电子激发表面等离极化激元 (surfaceplasmonpolariton ,SPP)的强度不断变弱 ,引起SPP耦合发光的强度不断衰减 相似文献
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采用真空蒸发镀膜方法制备了MIM隧道发光结。对MIM隧道发光结的制备工艺进行了分析,阐述了各膜层的制备特点,描述了所制备的MIM结的发光特性,简单讨论了与发光相伴随的I-U特性曲线上的负阻现象。 相似文献
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成功地制备了Cu-Al2O3-MgF2-Au及Si-SiO2-Al-Al2O3-Au两种结构双势垒隧道发光结。由于双势垒结中第二栅存在着不同的分立能级,电子存在共振隧穿效应,使双势垒隧道结发光光谱的波长范围及谱峰位置比普通单势垒隧道结均向短波方向发生了移动。对双势垒隧道发光结的I-V特性测试表明,I-V曲线中存在着明显的负阻区,分析表明,负阻现象与电子的隧穿特性、表面等离极化激元(SPP)的激发及SPP的耦合发光之间相互关联。 相似文献
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对MIM(Au-SiO2-Al)和MIS(Au-SiO2-Si)隧道结的表面等离极化激元(surfaceplasmonpolariton,SPP)的激发与色散关系进行了讨论,对结的发光光谱进行了测试。结果表明其发射峰主峰位于610nm(2.00eV)~630mm(2.00eV)和700mm(1.77eV)~740nm(1.68eV)处,分别与Au/空气及Au/Al2O3(SiO2)界面SPP模式的激发相对应。结的发光过程应该是隧穿电子激发表面等离极化激元SPP,然后SPP与粗糙度耦合形成光发射。 相似文献
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将少量稀土元素 Dy掺入隧道结制备成 Cu-Dy-A12O3-MgF2-Au结构双势垒发光结。结果表明,稀土元素 Dy的引入,改善了结的粗糙度,使结由界面等离极化激元(surface plasmon polariton,SPP)耦合发光的阈值电压有所降低,结的发光强度得到提高,改善了结的发光性能,与不掺Dy的结相比,其发光光谱在460.8 nm处发生了分裂,这与Dy掺入后栅区形成的附加能级有关。 相似文献