栅氧化层TDDB可靠性评价试验及模型参数提取

采用恒定电压和恒定电流试验方法对20nm栅氧化层进行了TDDB可靠性评价试验，并完成了1／E模型参数提取，给出了恒定电流应力下描述氧化层TDDB退化的统计模型，较好地解释了试验结果。     

功率裸芯片的测试与老化筛选技术

由于存在高温度、大电流等问题,传统的测试与老化筛选功率管的方法不能完全适用于功率裸芯片.介绍了采用临时封装夹具来测试与老化筛选功率裸芯片的技术,并根据功率裸芯片的实际情况,阐述了测试与筛选功率裸芯片的方法.     

MOS结构电容高频C-V特性的应用

CMOS工艺的发展要求栅介质层厚度不断减薄,随着栅极漏电流的不断增大使用准静态的方法测量器件特性不稳定。根据这一情况,提出用高频电容电压(C-V)来评价深亚微米和超深亚微米器件工艺。通过高频C-V法结合MOS相关理论可以得到介质层的厚度、最大耗尽层宽度、阈值电压、平带电压等参数以及栅介质层中各种电荷密度的分布,用以评价栅介质层和衬底的界面特性。文章提出通过电导对测量结果进行修正,使其能够适用更小尺寸器件的要求,使高频C-V法能够在不同的工艺下得到广泛的应用。     

微电子生产工艺可靠性评价与控制

简要介绍了可靠性评估(REM)测试结构设计,并介绍了REM试验中与时问有关的栅氧化层击穿(TDDB)、热载流子注入(HCI)效应和电迁移(EM)效应的评价试验方法及实例。REM技术与工艺过程控制(PCM)、统计工艺控制(SPC)技术结合起来就可以实现对工艺的可靠性评价与控制,某集成电路生产公司将它应用于金属化工艺中．确定了工艺输入变量与电迁移可靠性的相关性,优化了金属化工艺试验条件,提高了金属化系统的抗电迁移能力。     

裸芯片老化技术评价

老化可以筛选出裸芯片的潜在缺陷并因此改善产品的外在质量与可靠性.同时,老化也是非常耗时与耗费人力的.如果对产品的可靠性水平要求较低,要想低成本获得已知良好芯片(KGD),一般是不采用老化程序,但如果想获得高可靠KGD,一定程度的老化是必不可少的.本文将介绍老化的三种通用方法并进行了比较分析.     

超大规模集成电路中的可靠性技术应用与发展

论述了大规模 /超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展 ,重点强调在大规模 /超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用 ,对“十五”超大规模集成电路可靠性的发展提出了思路     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测     

MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

基于MOSFET热载流子可靠性物理,并结合电应力条件下热载流子退化特征量△Ids/Idso、Isub等实测数据的拟合处理,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化/寿命参数提取模型;进而由自动测试ATE与CAD技术相结合的监测系统,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度Lc和寿命因子H、m、n提取.实验研究结果表明,模型及提取参数合理可信,并可进一步应用于MOSFET及其电路的退化/寿命模拟预测.     

电迁移与工艺相关的关系

针对金属化电迁移,进行了失效机理与工艺相关性的研究;确定了金属晶粒尺寸与金属化可靠性之间存在着直接关系.金属平均晶粒直径与金属电迁移寿命受金属化溅射工艺条件的影响完全一致.提出了平均晶粒直径作为能够表征金属化可靠性的特征工艺参数的概念和金属化可靠性在线评价方法.