四极SIMS对Al_xGa_（1－x）As中Si的定量分析

本文讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ（ｌ－ｘ）Ａｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＋源对（２９）Ｓｉ的原子检测限达到４×１０（１５）ｃｍ（－３）．     

原子团离子在Al_(x)Ga(1-x)As基体组分SIMS定量分析中的应用

通过检测原子团离于MCs 和MAs－（M是基体元素）对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析，考察了MIQ－156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布及其对分析结果的影响，并对正、负SIMS测量方法做出比较。     

GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定

介绍了用离子注入标样测定ＧａＡｓ中氧的ＳＩＭＳ相对灵敏度因子的方法，并将实验数据进行离子计数─浓度，溅射时间─深度转换后求得的特征值（Ｃｍａｘ、Ｒｐ、△Ｒｐ等）与理论计算值进行比较，二者符合较好，其中Ｃｍａｘ的ＳＩＭＳ测量值同ＬＳＳ理论计算值和ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟计算值之间的平均偏差分别为９％和２７％．最后，对几种ＧａＡｓ基的材料和器件进行氧的定量分析，获得了有益的结果．     

注氧条件下GaAs中Ga~ 二次离子发射的研究

在有与没有Ar 同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga 2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga 二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga 二次离子能量分布的影响。实验结果表明：注氧后Ga 二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2～3eV，说明氧对低能Ga 二次离子的增强作用更强，这可以用断键模型来解释。     

四极SIMS对AlxGa1—xAs中Si的定量分析

本讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＾＋源对＾２９Ｓｉ的原子检测了限达到了４×１０＾１５ｃｍ＾－３。     

铝镓砷中硅δ掺杂的SIMS分析

评述了国际上δ掺杂样品ＳＩＭＳ分析的现状，研究了相关的基础实验技术，讨论了分析硅δ掺杂的ＡｌＧａＡｓ样吕时，选择高质量分辨及对不同一次离子参量下相对灵敏度因子进行校准的必须性，考察了一次束的展宽效应的δ掺杂层位置的微分飘移，对硅δ掺杂的ＡｌＧａＡｓ样品用Ｏ２＾＋源进行了定量分析，并对结果作了讨论。     

铝镓砷中硅δ掺杂的SIMS分析

评述了国际上δ掺杂样品SIMS分析的现状，研究了相关的基础实验技术，讨论了分析硅δ掺杂的AlGaAs样品时，选择高质量分辨及对不同一次离子能量下相对灵敏度因子进行核准的必要性，考察了一次束的展宽效应和δ掺杂层位置的微分飘移，对硅δ掺杂的AlGaAs样品用O源进行了定量分析，并对结果作了讨论。     

提高澳斯麦特炉铜冶炼内部作业率的生产实践

影响澳斯麦特炉内部作业率的因素主要有更换喷枪、喷枪清理、澳斯麦特炉上升烟道掉焦、电炉冰铜面高等。通过控制澳斯麦特炉Fe/Si O2、Fe3O4含量、研究新型材质喷枪混气室、探索最佳喷枪混气室长度、最佳喷枪清理方法来延长喷枪使用寿命,降低喷枪清理时间;通过提高制粒成团率、探索最佳化焦剂添加方式降低澳斯麦特炉上升烟道结焦速度和掉焦频次,从而降低澳斯麦特炉化焦时间;通过提高沉降电炉放铜速度和降低电炉炉结,控制合理的沉降电炉冰铜面,减少因冰铜面高而引起的澳斯麦特炉内部作业率。     

原子团离子在AlxGa1—xAs基体组分SIMS定量分析中的应用

通过检测原子团离子ＭＣｓ＾＋和ＭＡｓ＾－（Ｍ是基体元素）对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ基体组分进行了定量的分析，考虑了ＭＩＱ＝１５６ＳＩＭＳ上所测迷些原子团离子的能量分主其对分析结果的影响，并对正、负ＳＩＭＳ，测量方法做出比较。