基于随机矩阵谱分析的特高压输电通道隐患自动检测方法研究

特高压输电通道隐患具有随机性,传统方法存在通道隐患检测准确率低、隐患种类鉴别能力差等问题,为此引入了随机矩阵谱分析法,检测特高压输电通道隐患.采用模块化设计方案完成隐患检测硬件框架设计,针对框架中节点能级间距难以计算的问题,引入随机矩阵谱分析方法计算节点能级间距;选择平均特征向量的谱半径作为线性统计特征向量,构建特征向量的随机矩阵,利用特高压输电通道故障区和非故障区电流信号频谱存在差异定位故障点,解决特高压输电通道隐患的随机性与位置不确定问题.仿真结果表明,所设计的基于随机矩阵谱分析的特高压输电通道隐患自动检测方法具有更高的通道隐患检测准确率,且能够准确地鉴别出隐患的类别,说明本文方法具有较好的监测效果.     

磨料对硒化锌雾化施液化学机械抛光的影响

采用雾化施液化学机械抛光（CMP）的方法,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,选取最适合硒化锌抛光的磨料,通过单因素实验对比CeO2、SiO2和Al2O3三种磨料的抛光效果。结果显示:采用Al2O3抛光液可以获得最高的材料去除率,为615.19nm/min,而CeO2和SiO2磨料的材料去除率分别只有184.92和78.56nm/min。进一步分析磨料粒径对实验结果的影响规律,表明100nm Al2O3抛光后的表面质量最佳,粗糙度Ra仅为2.51nm,300nm Al2O3的去除速率最大,达到1 256.5nm/min,但表面存在严重缺陷,出现明显划痕和蚀坑。在相同工况条件下,与传统化学机械抛光相比,精细雾化抛光的去除速率和表面粗糙度与传统抛光相近,但所用抛光液量约为传统抛光的1/8,大大提高了抛光液的利用率。     

硒化锌晶体精细雾化抛光液及去除机理研究

目的配制适合硒化锌雾化施液化学机械抛光的最优抛光液。方法选取氧化铝磨粒、pH调节剂四甲基氢氧化铵、氧化剂过氧化氢、表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮为主要活性成分,以材料去除速率和表面粗糙度为评价指标,通过正交试验对硒化锌晶体进行精细雾化抛光,分析材料去除机理,并与传统抛光对比。结果氧化铝质量分数为9%、pH值为11、过氧化氢含量为3.5%、聚乙烯吡咯烷酮含量为0.75%时,材料去除率较高,为923.67 nm/min,同时表面粗糙度较小,为2.13 nm。在相同工况条件下,传统抛光材料的去除率和表面粗糙度分别为965.53 nm/min和2.27 nm。结论抛光液各组分对试验结果影响最大的为氧化铝磨粒,然后依次为氧化剂、pH值、表面活性剂。精细雾化抛光效果与传统抛光相近,但抛光液用量仅为后者的1/8。