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引言近几年来,代替 CRT 的各种显示器件得到了开发,如液晶显示器件(LCD)、等离子体显示板(PDP)、电致变色显示器件(ECD)等等。LCD 是最有希望的一种器件,因为它重量轻、功耗低、薄型。利用薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵选址 LCD 板得到了广泛的研究。尤其是氢化非晶硅(a-Si:H)被广泛用于 TFT 的半导体层,这是由于它的沉积温度低、容易形成大的面积且化学稳定性好。但是,a-Si:HTFT 也有下述一些缺点: 相似文献
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在研制交流存储型等离子体显示板时,我们发现电极电阻对特性有很大的影响,电极电阻大将使全板记忆系数下降,零散系数增大,远端电压波形变劣,从而无法作出可以实用的较大的矩阵存储型等离子体显示板.为了印刷出细长多根的导电电极,我们研究出一种紧丝厚膜印刷工艺,成功地解决了这一问题,并已使用六年.用此工艺使电极电阻引进的特性劣化得到克服,而且在工艺方面具有不少优点.1979年成果鉴定会文件认为这项工艺"具有独创性,有推广价值". 相似文献
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