应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.     

应用电子辐照技术灭活小麦矮腥菌的研究报告

应用电子辐照处理小麦矮腥黑穗菌冬孢子 ,实验室直接研究结果表明 ,5kGy的剂量可使冬孢子丧失萌发力失去活性。注意到电子辐照处理延迟了冬孢子的萌发 ,3kGy可能是控制小麦矮腥黑穗病在中国土地上繁衍的有效剂量。这有待结合田间种植进一步研究     

衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响

本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。     

硼离子注入硅的剖面分布

本文研究了硼离子注入硅的载流子浓度分布.实验表明,载流子浓度分布可以近似用线性扩散方程的解来描述.因此,通过结深的实验值得到了一套随注入剂量,退火温度和时间变化的扩散系数.用这套扩散系数又可以计算出能量 40-400keV,剂量5×10~(13)-1×10~(15)cm~(-2),退火温度900℃-1100℃,退火时间15分-2 小时这个范围内的载流子浓度分布.     

扩展电阻分析对砷在硅中本征扩散系数的研究

本文扼要叙述了扩展电阻分析用以测量较低浓度砷的剖面的有效性,进而研究了较低浓度砷在硅中的扩散问题.由于通过快速热退火对样品进行预处理,排除了辐照损伤对扩散系数测定的影响,从而测得砷在硅中本来意义下,即替位扩散意义下的本征扩散系数.如所预期,这组数据比国外直至目前所测得的数据要低.浓度剖面的实验数据由非线性扩散方程的数值解进行拟合.结果表明:SUPREM III所采用的模型在较高浓度区扩散系数随浓度递增速率较小,Hu理论仍然和本实验(?)较符合.本文还求得了扣除辐照损伤增强扩散效应后,砷在硅中的激活能为4.42eV     

在超高真空系统中对硅表面进行电子束退火的L23VVAuger能谱精…

本首先报道了清洁的Ｓｉ（１００）表面观察到Ｌ２３ＶＶ条Ａｕｇｅｒ精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为６２．８ｅＶ和６８．１ｅＶ两条谱线。前可以用Ｓｉ－Ｏ系统Ｌ２３（Ｓｉ）Ｌ１（Ｏ）Ｏ１（Ｏ）的交叉跃迁来解释；后虽已有报道，但在解释上引起争议。本根据实验认为它与Ｃ在Ｓｉ表面的吸附有关。     

硅中过饱和砷在后退火过程中的析出及其对硅原子移位影响的实验研究

通过电特性测量,背散射分析和电子显微镜观察对快速热退火制备的样品,在450-850℃后退火过程中As在Si中的行为进行了系统的研究.结果表明,方块电阻的变化在750℃附近有极大值,低温区随温度而上升,高温区随温度而下降.样品的退道产额和方块电阻的改变单调相关.750℃附近可能存在一个临界区域,将退火过程归属于两类不同的机制.低温区域,硅砷化合物的形成和沉积占优势;高温区域,As原子空位复合的集团的形成占优势.在750℃/5小时的后退火过程中,大约有1/3As原子处于填隙位置,这种大量As原子析出的过程导致了Si晶格的收缩.大量的直径为500—700A 的位销环的形成是这种收缩的一种表现.至于As原子的析出如何导致Si晶格的收缩,其机制尚不清楚.但是Si原子在后退火过程中对晶格发生移位这一实验事实,动摇了质量作用定律作为集团模型的物理基础.     

应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

研究了采用感应耦合等离子体原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2 膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;6 0nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.     

10keV B~+注入预非晶化Si的剩余缺陷和浅结

<正> 一、问题的提出和实验方法 在低能注入B~+浅结的过程中,沟道效应难以避免。为避免B~+注入的沟道效应,本文采用100keV下5×10~(15)cm~(-2)的Si~(29)注入n-Si<100>进行非晶化处理。继而进行了10keV,1×10~(15)cm~(-2)的B~+注入形成浅结,然后对样品进行快速热退火(RTA)处理,并观察界面缺陷的     

在超高真空系统中对硅表面进行电子束退火的L_(23)VV Auger能谱精细结构分析

本文首先报道了在清洁的Si(100)表面观察到L_(23)VV的7条Auger精细谱线。经过短时间的电子束退火后又观察到能量为62.8eV和68.1eV两条谱线。前者可以用Si-O系统。L_(23)(Si)L_1(O)O_1(O)的交叉跃迁来解释;后者虽已有报道,但在解释上引起争议。本文根据实验认为它与C在Si表面的吸附有关。