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随着微电子技术的迅猛发展，集成电路的集成度不断增大，器件的尺寸不断缩小。当MOSFET尺寸缩小到0．1nm的尺度以下时，栅氧化层的等效厚度（在保持栅电容值不变的条件下，以相对介电常数为3．9的SiO2作为标准得到的栅介质层厚度）需要小于3nm。如仍采用传统的氧化硅作为栅氧化层介质，电子的直接隧穿效应和栅介质层所承受的电场将变得很大，由此引起栅介质的漏电流增大和可靠性下降等严重问题，严重阻碍了MOS器件的进一步发展。因此，人们提出了采用高介电常数的栅介质（通常称为高K栅介质）替代传统氧化硅的解决方法。利用高K介质材料替代传统氧化硅作为栅介质，可以在保持等效厚度不变的条件下，增加介质层的物理厚度，因而可大大减小直接隧穿效应和栅介质层承受的电场强度。新型高K栅介质研究已成为国际微电子领域的热门研究课题之一。 相似文献
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由于金属小颗粒（如Ag,Au）具有良好的光吸收性能，在光学器件中具有潜在的应用前景，因此引起了人们的广泛兴趣。最近，Charle和Hoevel研究组对镶嵌Ag小颗粒的不同系统的光性能进行了研究；认为此类材料的光学性能与Ag小颗粒的大小，形状、分散度以及与基体之间的界面结构等有很大关系。而对于结构的研究，目前仅集中在材料的结晶状态、颗粒的大小形状、分散度等形貌方面。所以，对其微观结构的进一步研究是非常重要的。 相似文献
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