p型透明导电氧化物薄膜的研究进展

p型透明导电膜是近来发现的一种新型的材料,在透明有源器件、传感器、透明电极和电路等方面具有广泛的潜在应用.近来在这方面的研究取得了一些突出的进展.本文主要综述了关于p型透明导电膜在材料、沉积工艺以及相关器件方面的研究进展.     

电子束蒸发制备CuAlO2透明导电膜及光学性质

利用烧结的CuAlO2靶材运用电子束蒸发法沉积了p型CuAlO2薄膜样品.在空气中1000℃退火之后,薄膜样品出现了(006)定向结晶,且铜铝原子比满足化学计量.CuAlO2薄膜呈现了很好的透明性,500nm厚的薄膜样品在可见光范围透射率超过了80%.利用光谱分析,CuAlO2薄膜的光学禁带约为3.80eV,其平均折射率约为1.54,同其它方法制备的该薄膜的性能相近.薄膜样品室温电导率约为0.08S/cm.     

CdS/CdTe异质结太阳电池串联电阻的理论研究

串联电阻是太阳电池中一个附加的功率损耗．对太阳电池的转换效率、填充因子输出性能等均有较大影响，尽可能的减小串联电阻是提高太阳电池效率和性能所要求的。该文从理论上分析了太阳电池中串联电阻形成的各种因素，特别是对电池TCO层的薄层横向电阻做了较为详尽的理论分析，导出了TCO层薄层横向电阻的理论计算公式，并讨论了减小串联电阻的途径。并将计算值与实验结果进行了比较，两者符合较好。     

具有负泊松比材料的研究进展

介绍了负泊松比晶体材料的研究进展，展望了负泊松比晶体材料的应用前景。     

化学气相沉积TiO2薄膜的XPS研究

通过XPS分析了TiO2薄膜的结构。薄膜是通过化学气相沉积的方法生长，有机源遇热发生分解，沉积在硅衬底上形成TiO2薄膜。XPS分析表明：所得TiO2薄膜含有Ti,C,O,Al,Si元素。各元素的电子结合能与理论值并无太大的偏移，说明通过化学气相沉积法制备的TiO2薄膜，纯度高，质量好，晶型为锐钛矿。     

CdTe/CdS异质结特性

从理论上对CdTe／CdS太阳电池CdS/CdTe异质结的特性进行了研究和讨论，结果表明可以简单利用改变CdTe、CdS两种半导体材料的掺杂浓度来改变CdS/CdTe异质结的能带结构。针对不同的能带结构采用了不同的物理模型，得到的CdS/CdTe异质结伏安特性曲线有一折点，且折点位置随异质结能带结构的变化而变化。     

化学处理增强碳纳米管的湿敏效应

研究了多壁碳纳米管的湿敏效应.研究中所用碳纳米管是用热灯丝化学汽相沉积法生长的.实验结果表明,经由化学修饰后碳纳米管的湿敏效应有了极大的增强.化学修饰后碳纳米管在水蒸汽中电阻相对变化达到了300%,而未修饰只有3.25%.本文对其结果进行了分析和讨论.     

纯电动车整车控制逻辑模型及仿真验证

以某款电动车整车控制器(VCU)功能设计为主线,在MATLAB/Simulink环境下完成纯电动汽车整车控制器离线仿真模型的搭建。为在项目早期就能对整车控制器仿真模型进行一些基本的分析及验证,运用AVL Cruise软件结合实际整车各系统参数,模拟整车环境,实现仿真模型的离线验证和功能调试分析。结果表明,所搭建整车控制器仿真模型能较好的实现整车控制功能,达到预期目标。     

金刚石刻蚀技术研究

金刚石因其卓越的物理和化学性能一直蕴涵着巨大的应用潜力,但其极高的硬度和优异的化学稳定性使其难以被加工成型,因此,在作为新型电子功能材料走向实际应用过程中,金刚石的微细加工技术非常关键.对近年来国内外采用等离子体刻蚀技术加工金刚石的基本工艺特点和最新进展进行了较系统的比较和总结,重点分析了功率、气体种类、气体流量、偏压、掺杂类型、离子注入、掩膜等因素对刻蚀过程的影响,以期为工艺参数的进一步优化提供参考.     

应力诱导碳纳米管电阻的变化

利用三点弯曲法研究了掺杂和末掺杂碳纳米管薄膜应力诱导电阻的变化.该研究中所用的碳纳米管是用热灯丝化学汽相沉积法合成的.实验结果表明,碳纳米管有显著的应力诱导电阻变化的效应.当应力从0.2GPa增加到1GPa时,膜的电阻相对变化从7%增加到11%,而非掺杂的薄膜电阻变化小于掺杂膜的情况.电阻随应力变化的原因也许是带隙变化(掺杂)和管之间接触电阻变化(非掺杂)所致.