一种高精度电流检测电路的设计

采用0.18 μm BCD工艺,设计了一种高精度电流检测电路。分析了失调电压对电流采样精度的影响,采用斩波差动差分放大器和交叉采样电路,得到好的共模电平设置。采用分时采样的方法,利用逐次逼近模数转换器对电流检测结果进行采样。利用数字电路,对ADC采样结果进行求和并取平均值操作,大幅度消除了失调电压的影响,得到较高的精度。该电流检测电路可用于锂电池保护监测芯片。室温下,输入信号幅度在－10~10 mV范围时,检测误差小于30 μV,输入信号幅度在－170~70 mV范围时,检测误差小于70 μV。     

阶梯掺杂漂移区SOI高压器件浓度分布优化模型

基于分区求解二维泊松方程,提出了阶梯掺杂漂移区SOI高压器件的浓度分布优化模型.借助此模型,对阶梯数从0到无穷时SOI RESURF结构的临界电场和击穿电压进行了研究.结果表明,对于所研究的结构,一阶或二阶掺杂可以在不提高工艺难度的情况下获得足够高的击穿电压,因而可以作为线性漂移区的理想近似.解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果非常吻合,证明了模型的正确性.     

一种低功耗低温漂振荡器的设计

基于0.15 μm BCD工艺,提出了一种低功耗低温漂振荡器。分析了环形振荡器的振荡频率温度漂移特性,采用翻转电平优化技术,结合短路电流控制技术,获得了低温度漂移的振荡频率。且电流消耗极低。该振荡器适用于锂电池保护监测芯片。测试结果表明,在-40 ℃~100 ℃温度范围、32 kHz振荡频率、5 V电源电压条件下,该振荡器的振荡频率随温度的变化率小于3.3%,电流消耗仅为170 nA。     

大倾角综采放顶煤工作面采煤方法实践

利用增加设施、调整工作面采煤方法和工艺,实现了大倾角坡度不均匀综采放顶煤工作面开采,避免了浪费资源和增加吨煤成本.     

均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI RESURF器件的统一击穿模型

提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式.借此模型并对阶梯数从0到无穷时器件结构参数对临界电场和击穿电压的影响进行了深入研究.从理论上揭示了在厚膜SOI器件中用阶梯掺杂取代线性漂移区,不但可以保持较高的耐压,而且降低了设计和工艺难度.解析结果、MEDICI仿真结果和实验结果符合良好.     

探究中国乳业发展的瓶颈

当前社会奶制品畅销而国内奶牛的增长幅度远远供不应求，在这种情况下我们不得不来考虑～下影响中国未来乳业发展的原因。