一种用于光—电能量转换材料的谐振式量子阱阶模型

多年来相继发现的各类功能性结构薄膜不仅已大量用于不同频段的电磁振荡检测、信号合成,组成了各类敏感器件,也发展了完善的能带模型与能级跃迁理论,成为近代固体与真空器件的基础。80年代后期,在科技迅猛发展、观念不断飞跃的形势下。固体领域出现了量子阱(QW)器件、超晶格(SL)结构,超微细粉材料领域出现了纳米晶体、人工亚微米结构材料等周期性结构控制材料,制造出了具有奇特电子特性和光电子特性的器件和材料,随着制造与控制技术发展到能够开发出器件尺寸相当于电子波长的时代的到来。美国     

制造大面积超长钨发射体阵列W－UFEA的光电子学方法

本文简单介绍用光电子学拉丝法制造大面积非门控（或门控）超长金属杆状阵列场发射阴极ＵＦＥＡ（Ｕｌｔｒａ－ＬｏｎｇＦｉｅｌｄＥｍｉｓｓｉｏｎＡｒｒａｙ）的初步实验结果。     

全玻璃平板型夫实荧光光源的工艺探讨

提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（VFLS）管,与国际上传统的真空荧光光源管比较,新的器件在大面积碳场发射阴极,厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发,分析了该器件工作时管内发生的主要物理过程,详细介绍了研制VFLS管的制造工艺,并讨论了此工作目前存在的问题及前景。     

平滑型耐高温碳场发射体SCFE在真空X射线管内的试用

为改进便携式RTx-150Ⅱ型X射线机内真空园锥靶脉冲X射线管的性能,研制成功了一种平滑型耐高温碳场电子发射体SCFE,该SCFE阴极首次装入X射线管即表现出了良好的性能,目前装入整机已1年多,尚未见有发射性能衰变,与该管以前采用的耐高温碳场电子发射体CFE比较,除阴极表面光洁度、体积密实度大大提高,管内零件安装更精密,与管内其他电极的接触更完善等较明显的改善外,阴极总厚度降低至1 mm,特别是发射尖端处的厚度减小到了微米量级,电子发射的区域更加集中,初步试用的结果显示,电子发射性能、整管的工作稳定度都确有提高.     

400千伏高速X射线摄影机

本文是400千伏高速X射线摄影机的研制报告。文章叙述了改进型的Marx发生器的原理。400千伏高速X射线摄影机的性能指标以及这种摄影机在弹道学、爆炸力学方面应用的初步结果。     

微波毫米波真空微电子器件研究进展

本文简介近２－３年来，基于阵列场发射（ＦＥＡ）电子源的微波毫米波真空微电子器件的研究进展情况。     

碳场电子发射体的应用研究

本研究涉及几种自制碳场电子发射体,介绍探索这些碳场电子发射体应用的过程中,在真空电子学、真空微/纳电子学(VMF/VNE)领域内获得成功的方面.研究工作涉及到了一些新开发的真空微电子学与真空电子学器件,如采用耐高温碳场电子发射体(CFE)与平滑型碳场电子发射体(SCFE)的氖发光管,采用平滑型耐高温碳场电子发射体(SCFE)、阵列硅场电子发射体(Si-FEA)的封离式全玻璃平板真空荧光光源管(FP-VFLT),采用寻址式碳纳米管(CNT)薄膜阵列场电子发射体(CNT-FEA)的封离式全玻璃平板摄像管(FCT)与平板显像管(FDT),采用碳纳米管(cNT)薄膜场电子发射体的封离式全玻璃超薄平板字符管(FCT).碳场电子发射体的应用研究工作也涉及到一种商用真空X射线管,及大面积碳纳米管(CNT)薄膜作为微波吸收材料的初步探讨.本文报导了这些研究工作达到的阶段成果.     

AI-O2反应溅射中总气流量与溅射功率对临界靶过渡模式影响

反应溅射是制造化合物薄膜最通用的一种技术，至关重要的是靶由金属模式过渡到氧化物模式的临界条件。我们研究了Al-O2反应溅射过程中，总气体流量与溅射功率对临界靶过渡模式的影响。发现在临界条件下，溅射出的～原子数（‰）与供给的O原子数（NJ之比几乎是常数，NAl/N0接近于Al2O3的理想化学配比（2：3）。因而可认为，导入的氧几乎完全被Al原子结合，靶仍处于临界条件以下，仍为金属模式。提高供给的O原子量至超过Al2O3的理想化学配比，则输入的氧量超过反应结合效应的氧量，等离子体中氧的浓度突然提高，靶的模式由金属模式变为氧化物模式。     

真空微电子器件的进展与问题

本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题.