微波电路用共面电极TaNx薄膜片式电阻器

采用反应溅射方法制作TaNx电阻薄膜,并通过溅射Ni、Au形成双层共面电极。研究了溅射条件对电阻薄膜组分的影响以及此类电阻器的微波特性。结果显示,溅射工作真空度小于0.5Pa,氮气体积分数大于5%时,可以得到阻值稳定的六方晶体结构TaNx电阻薄膜,其共面电极的电阻器使用频率上限大于20GHz。     

热等静压对BaTiO_3基陶瓷结构及介电性能的影响

采用热等静压(Hot Isostatic Pressing,HIP)工艺对BaTiO_3基陶瓷基片进行烧结实验,探讨HIP烧结对BaTiO_3陶瓷结构和介电性能的影响。SEM结果表明:未经预烧结的基片HIP烧结后,陶瓷出现晶粒细小,不够致密,多气孔等缺陷;经预烧结(1225℃)的基片HIP烧结后,陶瓷显微结构致密,晶界细直,甚至不清,晶粒细小且均匀。随着陶瓷结构的变化,介电性能也发生显著的改变。由于HIP烧结过程为还原气氛,陶瓷存在氧空位(Vo),在高温下(1200℃)仍难以退还原,影响其介电性能。     

薄膜衰减器的设计及性能研究

设计并制备了用于电压衰减的Π形和T形氮化钽薄膜衰减器,对衰减器的设计值与实测值进行了对比。Π形设计时,实测衰减值与设计值之间的相对误差随着设计值的提高不断下降,衰减值为-10 d B时,相对误差为8.9%,衰减值为-30 d B时,相对误差为2.47%。T形设计时,实测衰减值与设计值之间的相对误差随着设计值的提高先下降,然后再上升,-20 d B时,相对误差最小,为4.75%。     

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系.通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7%～≤±22%),使用温域宽(-55℃～ 125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片.通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路.     

退火温度对氮化钽薄膜电阻器性能的影响

通过反应直流磁控溅射法在Si片表面沉积氮化钽(Ta N)电阻薄膜,并在空气中进行退火,系统研究了退火温度对薄膜的物相组成、微观形貌、电阻性能的影响。结合X射线衍射(XRD)物相分析、扫描电子显微镜(SEM)形貌分析及电阻性能测试结果,Ta N薄膜最佳退火温度为400~450℃,在此温度范围内退火,可制备出与硅基底附着良好、较小电阻温度系数(TCR,≤±100×10-6/℃)、2000 h老化电阻变化率(ACR)约0.43%的高稳定Ta N薄膜电阻器。     

Bi2MoO6对Bi2Mo2O9低温烧结陶瓷微波介电性能的影响

采用氧化物固相反应法制备xBi_2MoO_6+(1–x)Bi_2Mo_2O_9(x为摩尔分数,x=0.20,0.25,0.30,0.35,0.40)系列微波介质陶瓷,研究Bi2MoO6不同掺入量对陶瓷晶相结构、显微形貌及介电性能的影响.结果表明:烧结后xBi_2MoO_6+(1–x)Bi_2Mo_2O_9陶瓷晶相为Bi2MoO6正交和Bi_2Mo_2O_9单斜两相混合,Bi2MoO6加入量对晶体结构和晶粒尺寸有明显影响;Bi2MoO6掺入量对陶瓷的微波介电性能影响显著,随着x增大,xBi_2MoO_6+(1–x)Bi_2Mo_2O_9陶瓷的相对介电常数(!r)、品质因素(Qf)和谐振频率温度系数(τf或TCF)减小.在650℃空气下烧结2h、谐振频率7.70GHz条件下,0.35Bi2MoO6+0.65Bi_2Mo_2O_9陶瓷的!r=29.9,Qf=10450GHz,"f=1.2#10–6/℃,具有优良的微波介电性能,有望应用于低温共烧陶瓷工艺中.     

晶界层介电陶瓷及其单层电容器

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系.通过等效电路分析,XRD,SEM显微结构观察,探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,制成了介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(±4.7%～±22%),使用温域宽(-55～ 125℃)的单层片式晶界层电容器.