一种高电源抑制比带隙基准电压源的设计

设计了一种基于反馈电路的基准电压电路。通过正、负两路反馈使输出基准电压获得了高交流电源抑制比(PSRR),为后续电路提供了稳定的电压。采用NPN型三极管,有效消除了运放失调电压对带隙基准电压精度产生的影响,并对电路进行温度补偿,大大减小了温漂。整个电路采用0.35μm CMOS工艺实现,通过spectre仿真软件在室温27℃、工作电压为4 V的条件下进行仿真,带隙基准的输出电压为1.28 V,静态电流为2μA,在-20~80℃范围内其温度系数约为18.9×10-6/℃,交流PSRR约为-107 dB。     

一种新型跨时钟域边沿检测同步器

传统的边沿检测同步器由触发器构成,被同步的数据至少需要在新时钟域的1个时钟周期内保持有效。提出一种新型边沿检测同步器,由两相无重叠时钟产生电路、5个锁存器等构成。理论分析结果表明,新型边沿检测同步器中数据稳定时间的极限值为新时钟域的0.75个周期。基于Nuvoton 0.35 μm 2P3M CMOS工艺,采用Verilog_XL工具进行仿真验证。结果表明,新型边沿检测同步器的时序与理论分析一致。采用0.8个新时钟域周期的实例,验证了新型边沿检测同步器的工作正常,同步器的分辨率有所提高。     

低温度系数低功耗带隙基准的设计

对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0.4μm的CMOS工艺设计了一个低温度系数、低功耗的基准电压电路。通过电源电压、工作温度及工艺角对基准电压影响的仿真,结果表明该带隙基准源典型的温度系数为2×10~(-6)/℃,功耗为5.472μW,基准电压为1.32 V,电源抑制比为83.5 dB,实现了低温度系数、低功耗特性,且电路工作稳定。