HgCdTe快速定向凝固过程的传热数学模型及其数值分析

本课题考虑的实际对象是盛于石英安瓿内的(Hg,Ca)Te,处于熔点以上温度时,以一定的典型冷却条件实现定向凝固。应用Fourier定律及其建立在能量守恒原则基础上的导热方程,结合具体情形确定各自的边值条件,求解试料体内的温度响应,采用有限差分法,以差商代替微商,使Fourier导热微分方程转化为代数方程,在Apple-(?)微机上完成各相     

元素材料的提纯及高纯Hg_(1-x)Cd_xTe的研究

为研制高纯度Hg_(1-x)Cd_xTe材料,我们对原材料进行了提纯,并用经过提纯的Te、Cd、Hg三种元素材料采用新的配料工艺,制备了纯度较高的耳gaCdTe晶体,获得了良好的结果。1)从Te、Cd、Hg三种原材料提纯后的检测结果看,提纯过的Cd与原材料Cd相比,其中的杂质元素Ca、Mg、Ba、Fe、Cu、Cr、Al、Mo等均可降低一个数量级。提纯过的Te与原     

侧冷淬火固态再结晶法制备的Hg_(1-x)Cd_xTe单晶的质量

为制备组分均匀的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te单晶体材料,发展了圆柱形熔体侧面冷却淬火技术,以实现HgCdTe熔体的快速定向凝固。淬火所得的多晶锭经通常的固态再结晶后,单晶成品率很高。我们最关心的是晶体的组分均匀性,特别是横向组分均匀性。将晶锭横切成厚为0.8～1.0mm的圆片,研磨去刀痕和切割损伤,用失重法测定密度,除锭尾10mm左右     

用淬火固态再结晶法半熔再结晶法和布里奇曼法组合生长Hg_(1-x)Cd_xTe单晶

半熔再结晶法可由低x值的起始试料生长出高x值的Hg_(1-x)Cd_xTe,而其生长温度和Hg蒸汽压远比生长晶体所对应的熔点及其平衡耳g蒸汽压低得多。其生长驱动力是固体和半熔体之间因平均组分和温度不同而存在的化学势差。在熔体和半熔体中没有添加料补充的质量保守系统中,生长着的高组分材料不断将熔体和半熔体的CdTe耗尽,当生长界面的     

PbTe/PbSnTe异质结红外探测器

本文用液相外延方法制备异质n/p结构n-PbTe/p-PbSnTe/p~ -PbSnTe外延片。衬底为汽相法生长的PbSnTe,晶向为(100),外延生长温度为520°～550℃。在纯净氢气氛下长出平整无沾铅的外延片。用台面二极管工艺制备红外探测器,在77K下,十元线列的平均性能分别为D_(10μm)~*=1.94×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),R_(bb)~*=1.2×10~3V/W,R_0A=0.25Ωcm~2,λ_0=11.6±0.1μm。小光点试验和电学测量表明:电学和光学串音可忽略不计。单元器件D_λ~*最大达2.91×10~(10)cmHz(1/2)W~(-1),R_0A最大达3.4Ωcm~2。噪声频谱测试表明:1/f拐点处的频率可低达30～40Hz。