高速运算放大器低失调输入级的设计

差分对结构是运算放大器(运放)的基础结构,对电路性能至关重要。现实中,工艺偏差无法避免,其带来的失配会影响运放的精度。对多级运放而言,输入级的失调程度决定了整个放大器的精度,因此低失调输入级成为运放设计的重点之一。为获得低失调的运放输入级,研究了差分对电阻R_C和电路失配的关系,通过修调失配电阻ΔR_C补偿其余失配项带来的影响。使用西岳4μm 50 V的工艺做全芯片参数验证,结果表明,失调电压低于60μV,相较于通用运放减小了76%;温漂系数可达0.3μV/℃,相较于通用运放减小了50%。这种方法简单、方便,可避免对电路结构做大规模调整,且对电路功耗的影响可以忽略。     

多晶高阻长度对多晶电阻方块值的影响

在集成电路中光刻、腐蚀、横向扩散等工艺步骤常会引起电阻阻值的变化,因此在集成电路版图绘制过程中,版图画法对电阻的影响很大。在集成电路设计过程中电阻通常都设计得比较长,容易忽略电阻长度对阻值的影响。当需要将电阻长度设计得较小时,势必要考虑电阻长度对集成电路阻值的影响。在一些不同的工艺中,电阻变短时电阻长度对阻值的影响趋势很可能相反。对比不同工艺中多晶电阻制造的原理,通过流片取得一家工艺厂实际电阻的阻值,分析并比较与其类似的工艺,同时对比另一家工艺厂电阻阻值随长度变化的影响,给出区分多晶电阻长度对阻值影响的判别依据。