非对称式双层LC谐振结构的无线无源柔性压力传感器设计

通过归纳LC谐振器的基本工作原理,分析双层非对称式LC谐振结构的互感耦合模型,提出了一种新式非对称式双层LC谐振结构的无线无源柔性压力传感器的设计方案。通过建立集总电路模型,用SPICE软件进行电路仿真分析验证该设计模型的可行性,并用HFSS软件电磁仿真对比该结构与单层LC结构以及双层对称式LC结构区别。结果表明,该设计利用双层非对称式LC结构的特定耦合方式,降低了初始谐振频率,增大了品质因子,相对灵敏度提高了6.6％。     

二氧化锡覆盖层对ITO透明导电薄膜热稳定性的改良

采用射频磁控溅射法在ITO玻璃表面沉积了一层15 nm左右的SnO2薄膜。利用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪、场发射电子显微镜及紫外–可见–近红外光谱仪分析了所制薄膜的电学性质、表面形貌和光学性质。结果表明,在300~600℃退火后镀有SnO2覆盖层的ITO(SnO2/ITO)薄膜具有相对好的热学稳定性。在600℃退火后,ITO薄膜的方阻和电阻率分别为88.3Ω/□和2.5×10–3.cm,而此时,SnO2/ITO薄膜的方阻和电阻率仅为43.8Ω/□和1.2×10–3Ω.cm。最后,阐述了SnO2覆盖层提高ITO薄膜热稳定性的机制。     

ZnSnO/AgNW双层透明电极的制备及性能研究

利用旋涂银纳米线和磁控溅射ZnSnO薄膜相结合的方法,实现了高性能ZnSnO/AgNW双层透明电极的制备。采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对电极的结构和形貌进行了表征分析,利用紫外可见分光光度计和四探针测试仪分别对ZnSnO/AgNW双层透明电极的电学和光学性能进行了表征。结果表明,制备的ZnSnO/AgNW双层透明电极具有优异的电学和光学性能,在透过率为88.1%时,其方阻为12.3Ω/□,品质因子高达231。在5.0 mm的曲率半径下,对ZnSnO/AgNW双层透明电极进行了1000次弯曲测试,其电阻仅增加了13%,表明ZnSnO/AgNW双层透明电极具有优异的柔性性能。此外,ZnSnO/AgNW双层透明电极经过20次胶带粘附测试和高温高湿测试后,方阻都基本保持不变,这说明ZnSnO/AgNW双层透明电极具有优异的粘附性以及抗氧化性。     

新式凹槽形缝隙超宽带微带天线的设计

针对窄带微带缝隙天线带宽较窄的问题,设计了一种新式凹槽形缝隙超宽带（UWB）微带天线。利用微带馈电线激励凹槽形缝隙的方式实现天线带宽的展宽,并得到了良好的效果。经过高频电磁仿真软件HFSS的设计仿真结果表明,该缝隙天线具有良好的阻抗匹配特性,其阻抗带宽（S11<–10 dB）为117% （2.2 GHz～8.4 GHz）,符合超宽带天线的标准。经过测试其阻抗带宽为113% （2.2 GHz～8 GHz）,且最高增益可达6 dB,平均增益为4 dB,具有小型化、集成度高、制作简单的优点,可用在多种通信系统中,应用前景良好。     

溅射压强对ATO透明导电薄膜性能的影响

利用射频磁控溅射法在石英衬底上制备得到高质量的锑掺杂二氧化锡(ATO)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ATO薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:溅射压强对ATO薄膜的相结构、择优生长取向和结晶质量均有一定的影响。所制薄膜的电阻率随着溅射压强的增加有先减小后增大的规律,并在溅射压强为1 Pa时取得最小值(1.99×10–3?·cm)。不同溅射压强下制备的薄膜在可见光区的透过率均在85%以上。     

铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备和性能研究

为寻找替代硬质氧化铟锡的新型柔性透明导电薄膜,采用液相还原法制备了大长径比的铜纳米线,并利用喷涂法实现铜纳米线柔性透明导电薄膜的制备。采用透射电子显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪对形貌和相结构进行了分析,并用紫外可见分光光度计和四探针测试仪分别对铜纳米线柔性透明导电薄膜的电学性能和光学性能进行了表征测试。结果表明,铜纳米线直径约为40 nm,长度为10～20μm,具有高长径比、分散性好、形貌规整的特点。同时,铜纳米线薄膜的电学和光学性能优异,方阻约为100Ω/,在550 nm处的光透射率为82%左右。该薄膜还具有较好的温度稳定性,耐温可达110℃,且其方阻在不同弯折程度下变化不大,具有良好的抗弯折性,可用于柔性可穿戴电子产品。