铜互连中SiCOF/a-C∶F双层低介电常数薄膜的制备和表征(英文)

用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C∶F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C∶F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C∶F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C∶F之间没有明显的界面层.     

射频集成电路用高性能金属—绝缘体—金属电容的研究

随着无线通讯技术的快速发展,高性能金属-绝缘体-金属(MIM)电容器已引起人们的极大关注,成为下一代射频集成电路的必然选择。本文从MIM电容的技术背景、制备方法、绝缘介质的设计以及电极材料几个方面,对MIM电容器件的研究进展进行了较全面的综述,可望为开发下一代射频集成电路用高性能MIM电容提供技术指导。     

石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成

从石墨烯发现与制备出发,综述了室温下双层石墨烯或石墨烯带禁带在0～250 meV可调的特性,及其在中远红外探测器的背栅、顶栅结构中作为栅氧形成材料的应用,并介绍了目前各种先进工艺.     

Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅研究

首先在SiO2/Si衬底上磁控溅射了一层超薄Pt薄膜,并通过快速热退火形成了分离的Pt纳米颗粒阵列。接着研究了在氢氟酸和双氧水的混合溶液中Pt纳米颗粒辅助化学刻蚀重掺杂p型单晶硅片的特性。结果表明,当氢氟酸的浓度为1.06 mol/L时,样品表面分布着许多Pt岛链,在硅衬底表面没有观察到任何孔洞;当氢氟酸的浓度上升到5.3 mol/L时,样品表面起伏不平,出现许多大小不一的小丘,岛链状Pt减少;当氢氟酸的浓度增加到26.5 mol/L时,样品表面出现大量的孔洞,Pt岛链进一步减少。通过对样品的剖面结构进行观察,发现硅衬底中形成了致密的介孔,同时还观察到底部含有Pt岛状物的不规则沟槽,并且介孔的生长速率快于沟槽。最后,对上述实验现象的形成机制进行了讨论。     

低介电常数含氟氧化硅薄膜的红外光谱分析

用等离子体化学气相淀积 (PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜 (Si OF薄膜 )。通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR)分析 ,研究了氟掺入后薄膜结构的变化 ,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响。研究表明氟掺入后改变了 Si- O键上的电荷分布 ,降低了薄膜中 Si- O键的极性 ,导致 Si- O键伸缩振动吸收峰发生蓝移。同时氟的掺入抑制了强极性 Si- OH键的形成。这些变化有利于薄膜中离子极化和偶极子转向极化的降低 ,因而使薄膜介电常数减小。对 Si- F吸收峰的高斯拟合表明 ,在氟含量较高时 ,薄膜中掺入的氟一部分会以 Si F2 结构存在。由于 Si F2 结构稳定性较差 ,易与水汽发生作用 ,因而高氟掺杂的 Si OF薄膜易吸水 ,并使薄膜性能变差     

ULSI低介电常数材料制备中的CVD技术

综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍了PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺,简要介绍了APCVD技术淀积聚对二甲苯类有机薄膜及RTCVD技术淀积SiOF薄膜的工艺。     

低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究

综述了近十年来低介电常数含氟氧化硅薄膜的研究状况,详细介绍了该薄膜在化学键结构、热性质、湿稳定性以及介电常数四个方面的特性,同时也简单介绍了薄膜的台阶覆盖度、填隙能力和漏电流特性,指出经硅薄膜是一种可有于集成电路中的极富应用前景的低介电常数材料。     

（La,Ce,Tb）（PO4,BO3）绿粉的合成及发光研究

首次用磷酸硼和稀土氧化物为主要原料制备铈、铽共激活的硼磷酸盐绿色荧光粉,并对Ｃ３＾３＋－Ｔｂ＾３＋的能量传递进行了研究,发现在该基质中Ｃｅ＾３＋、Ｔｂ＾３＋间的能量传递为电多极子相互作用的共振传递,能量传递效率可高达９０％。还研究了助熔剂对荧光粉粒度和发光特性的影响,实验结果表明,加了助熔剂后增强,光的纯度也得的改善。对不同基质荧光粉的研究发现,用硼磷酸盐绿粉比用硼酸盐和磷酸盐绿粉更适合做三基色粉     

等离子体增强化学气相淀积a-SiCOF薄膜的稳定性研究

以正硅酸乙酯（TEOS）／C4F8／Ar为气源，采用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法制备了低价电常数a-SiCOF介质薄膜，并借助X射线光电子能谱（XPS）和傅立叶变换红外光谱（FTIR）对薄膜的化学键结构、热稳定性和抗吸水性进行了研究。     

非晶含氟聚合物薄膜的热稳定性

以TefonAF1600为原料，用旋涂法制备了非晶含氟聚合物（AF）薄膜，通过扫描电镜（SEM），傅立叶转换红外（FTIR）光谱和X射线光电子（XPS）光谱等手段对热退火前后的薄膜进行了表征，所得薄膜具有无针孔，较光滑和平整的表面，300℃退火后薄膜表面的均匀性进一步改善，AF薄膜的300℃以下具有良好的热稳定性，在400℃退火后CF3吸收峰强度稍有降低，在400℃退火后，其所含的CF3键合构型显著降低，CF2，CF等其它构型没有明显的变化，由于CF3基团的分解有少量无定型碳生成。